一種成長ＩＩＩ－Ｖ族氮化物薄膜之方法及其結構
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201037766 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 李威儀 | en_US |
| dc.contributor.author | 黃信雄 | en_US |
| dc.contributor.author | 陳奎銘 | en_US |
| dc.contributor.author | 葉彥顯 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:37Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:12:37Z | |
| dc.date.issued | 2010-10-16 | en_US |
| dc.description.abstract | 一種成長III-V族氮化物薄膜之方法及其結構，其係利用氫化物蒸氣相磊晶方法來進行。此方法至少包含在介於900℃至950℃間之第一成長溫度，且以每分鐘0.5℃至10℃之一升溫速度，緩慢地於基板上磊晶成長一升溫氮化物層，直至溫度升溫至介於1000℃至1050℃間之第二成長溫度。本發明之升溫氮化物層，其晶格品質會隨著膜層高度而緩慢變化，因而能消除藍寶石基板與氮化鎵層之間因晶格不匹配而造成的應力。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/318 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C30B029/38 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/103685 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 一種成長ＩＩＩ－Ｖ族氮化物薄膜之方法及其結構 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |