選擇性沉積碳奈米結構於矽晶基材之方法
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I230204 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 郭正次 | en_US |
| dc.contributor.author | 張惠林 | en_US |
| dc.contributor.author | 林兆焄 | en_US |
| dc.contributor.author | 許智明 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:23Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:17:23Z | |
| dc.date.issued | 2005-04-01 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明選擇性沉積碳奈米結構於矽晶基材之方法，依序包含下列步驟：於矽晶基材上決定欲成長碳奈米結構的區域；於欲成長碳奈米結構的區域生長金屬矽化物；於金屬矽化物表面利用化學氣相沉積法成長碳奈米結構。由於在矽晶基材上之金屬矽化物區域即為碳奈米結構成長區域，因而達到選擇性沉積碳奈米結構之目的，另且，該金屬矽化物區域係由半導體製程方法製造，所以本發明的製程方法與現有半導體設備相容性高。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C23C016/22 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C23C016/22 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/106398 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 選擇性沉積碳奈米結構於矽晶基材之方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |