自我對準之頂閘極薄膜電晶體及其製法

Abstract

提供一種自我對準之頂閘極薄膜電晶體，係包括：表面依序形成有氧化物半導體層、介電層及金屬層的基板，其中，該氧化物半導體層具有外露出該介電層及金屬層之第一連接區及第二連接區，且該第一連接區及第二連接區係經加熱處理或紫外光波長之輻射照射，而具有導體之性能；以及形成於該基板上之源極與汲極，係分別連接該第一連接區及第二連接區。本發明之自我對準之頂閘極薄膜電晶體的製法無須經由離子摻雜佈植製程即可降低第一連接區及第二連接區之接觸電阻，大幅簡化製程複雜度與要求仍可精準定位源極與汲極，提升元件特性。