酸化プラセオジムを備えた誘電体、酸化プラセオジムを備えたトランジスタ及びその製造方法

Abstract

【課題】酸化プラセオジムの誘電体、酸化プラセオジムを備えたトランジスタ及びその製造方法を提供し、以って半導体素子のリーク電流及び等価酸化物膜厚の過大の問題を解決すること。【解決手段】本発明では、酸化プラセオジムを備えたトランジスタは、少なくとも一つのIII－Ｖ族基板と、一つのゲート誘電層と、一つのゲート電極とを含む。また、III－Ｖ族基板にゲート誘電層が設けられ、ゲート誘電層にゲート電極が設けられ、誘電層は酸化プラセオジム（ＰｒxＯy）である。本発明は、誘電層材料として高誘電率及び高エネルギーギャップを備えた酸化プラセオジム（Ｐｒ6Ｏ11）を用いることにより、リーク電流を有効に抑制する外、更にIII－Ｖ族材料を基板とした素子の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）を薄くさせることもできる。【選択図】図４