適用於銅製程的半導體裝置

Abstract

一種適用於銅製程的半導體裝置,包含本體,及至少一電極結構,本體以氮化鎵系半導體為主要材料所構成;電極結構與外部電路電連接並包括形成於本體上並與本體歐姆接觸的歐姆接觸層、形成於歐姆接觸層上的抑制層,及形成於抑制層上且以銅為主成分的導線層,歐姆接觸層以選自鈦、鋁、鎳,及至少包含此等元素其中之一所成的合金為材料所構成,抑制層以選自鈦、鎢、氮,及其中之至少一為主成分構成的材料所構成;本發明以歐姆接觸層及抑制層搭配本體以阻擋導線層中的銅擴散進入本體中,而維持半導體裝置穩定的電特性及可靠度。