選擇性沉積碳奈米結構於矽晶基材之方法

Abstract

本發明選擇性沉積碳奈米結構於矽晶基材之方法，依序包含下列步驟：於矽晶基材上決定欲成長碳奈米結構的區域；於欲成長碳奈米結構的區域生長金屬矽化物；於金屬矽化物表面利用化學氣相沉積法成長碳奈米結構。由於在矽晶基材上之金屬矽化物區域即為碳奈米結構成長區域，因而達到選擇性沉積碳奈米結構之目的，另且，該金屬矽化物區域係由半導體製程方法製造，所以本發明的製程方法與現有半導體設備相容性高。