利用超高真空化學氣相沈積法成長多晶矽與矽鍺及其元件應用

Abstract

本計畫將利用"超高真空化學氣相沈積法"( Ultra-high vacuumchemical vapor deposition,以下簡稱 UHV/CVD)進行多晶矽及多晶矽鍺薄膜的低溫成長, 並探討其材料特性及元件應用.在材料特性方 面,我們將利用X-ray繞射□TEM□SEM□RBS□SIMS□ Four-pointprobe□Surface profile□Hall measurement等方 法分析其結晶性□晶粒大小□鍺含量□摻雜物 濃度□成長速率□阻值□及載子遷移率等性質 .另一方面,我們也將進行Poly-SiGe gate MOSFET以及Self-alligned poly-Si(SiGe)TFT的研製與特性的探討. 本計畫的主要目的在於瞭解以UHV/CVD成長Poly-Si 及Poly-SiGe的材料品質及其在積體電路製程與低 溫化TFT製程上應用的可行性.