次臨界多埠暫存器
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201128649 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 楊仕祺 | en_US |
| dc.contributor.author | 楊皓義 | en_US |
| dc.contributor.author | 黃威 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:17Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:12:17Z | |
| dc.date.issued | 2011-08-16 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明為一種次臨界多埠暫存器，利用多重暫存器庫(Multi-bank)的架構達到多重埠(Multi-port)的效果，並且支援數個同時存取及撞處理，其中，各位元胞(cell)係包含兩個高臨界電壓的電晶體，使其在次臨界電壓仍可操作並增加抗雜訊能力；一負電壓寫入機制及位元線電壓偵測機制確保在次臨界電壓操作下，提高將資料寫入位元胞的機率；在讀取機制方面，係使用一皆以NMOS電晶體構成的讀取緩衝器以及一可控制的預充電路對位元胞進行讀取，如此可消除不必要的漏電，提高讀取成功的機率。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | G11C019/00 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/103557 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 次臨界多埠暫存器 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |