自我對準薄膜電晶體之製造方法及其結構

Abstract

一種自我對準薄膜電晶體之製造方法，首先提供具有相對的第一面與第二面之透明基板，並且依序沉積一氧化物閘極、介電層、及光阻層於透明基板的第一面上。接著，對基板的第二面照射紫外光，以對光阻層進行曝光，其中以氧化物閘極製成的閘極係做為光罩，並吸收照射至對應於氧化物閘極之光阻層的紫外光。接著移除曝光之光阻層，並沉積一透明導電層於未曝光之光阻層及介電層上。對透明導電層執行圖案化製程，以形成源極與汲極，並形成主動層覆蓋於源極、汲極、及介電層上，以完成一自我對準薄膜電晶體結構。