斜め堆積を用いて生成されたナノ構造薄膜およびその方法

dc.citation.patentcountry	JPN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	2010043348	zh_TW
dc.contributor.author	チア－フアチャン	en_US
dc.contributor.author	チン－シェンヤン	en_US
dc.contributor.author	チン－フア，チュ	en_US
dc.contributor.author	ペイ－チェンユー	en_US
dc.contributor.author	ハオ－チュンクオ	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:16:24Z
dc.date.available	2014-12-16T06:16:24Z
dc.date.issued	2010-02-25	en_US
dc.description.abstract	【課題】勾配型屈折率を備えた多孔質を含む単層構造をした透明導電性のナノ構造薄膜とその製造方法を提供する。【解決手段】電子ビームシステム１００を用いて、ターゲットソースが斜め堆積法により蒸着される。複数の調整可能な試料ステージ１０４上に蒸着基板１１４が配置される。プロセスチャンバー１０１内でガスの流量および温度を制御するため、熱源と複数のガス制御弁１０７および１０８が備えられる。蒸着後、薄膜構造と光電子特性を向上させるため、アニール工程が行われる。【選択図】図１ａ	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C23C014/24	zh_TW
dc.identifier.govdoc	B82B003/00	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C23C014/30	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C23C014/58	zh_TW
dc.identifier.uri	https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/105832
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	斜め堆積を用いて生成されたナノ構造薄膜およびその方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US

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