一種形成半導體深次微米線寬結構的方法
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 200826192 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 陳仕鴻 | en_US |
| dc.contributor.author | 連亦中 | en_US |
| dc.contributor.author | 張翼 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:13:03Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:13:03Z | |
| dc.date.issued | 2008-06-16 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明為一種僅利用光阻顯影及斜角度蝕刻,形成半導體深次微米線寬結構的方法。首先在半導體基材表面披覆兩層光阻,控制適當的曝光能量或顯影條件,以顯影第二層光阻,而第一層光阻不被顯開。而具有下切(Under-Cut)側壁的凹槽結構可形成於第二層光阻上。再以相對於半導體基材垂直方向的斜角度,對第一層光阻進行非等向性蝕刻製程。而第二層光阻凹槽的一邊側壁,可以保護部分第一層光阻免於受到蝕刻;且本發明亦可在半導體基材表面披覆三層光阻再以上述方式進行蝕刻。於進行金屬蒸鍍與浮離(Lift-Off)製程後,可定義出金屬電極的線寬,形成具有深次微米線寬之��型閘極。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/308 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/103987 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 一種形成半導體深次微米線寬結構的方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |