半導體裝置及其操作方法與應用電路
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I445051 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 白田理一郎 | en_US |
| dc.contributor.author | 渡邊浩志 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:11:43Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:11:43Z | |
| dc.date.issued | 2014-07-11 | en_US |
| dc.description.abstract | 一種半導體裝置及其操作方法與應用電路。藉由調整施加於雙重井區上的偏壓，來降低控制閘極擴散層、源極擴散層與汲極擴散層之間的漏電流，進而提高應用半導體裝置之無電池電子計時器的準確性並降低生產成本。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/145 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/335 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L027/088 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/103154 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 半導體裝置及其操作方法與應用電路 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |