半導体基板上において３族窒化物半導体層を形成する方法

dc.citation.patentcountry	JPN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	2009099932	zh_TW
dc.contributor.author	張俊彦	en_US
dc.contributor.author	楊宗▲き▼	en_US
dc.contributor.author	沈詩國	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:16:25Z
dc.date.available	2014-12-16T06:16:25Z
dc.date.issued	2009-05-07	en_US
dc.description.abstract	【課題】シリコン半導体基板を含む半導体基板上において３族窒化物半導体層を大面積でエピタキシャル成長を行う技術を提供する。【解決手段】半導体基板の表面をフッ酸（ＨＦ）洗浄及び高温における酸化物の除去後、さらに３族窒化物ナノロッドバッファ層（ＧａＮナノロッドバッファ層）を形成し、３族窒化物半導体層（ＧａＮエピ層）を３族窒化物ナノロッドバッファ層において被覆成長させることで、半導体基板上に３族窒化物半導体層を形成する。【選択図】図２	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L021/205	zh_TW
dc.identifier.uri	https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/105845
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	半導体基板上において３族窒化物半導体層を形成する方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US

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