形成一Ｔ型閘極結構的方法
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201330111 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 張翼 | en_US |
| dc.contributor.author | 黃祿哲 | en_US |
| dc.contributor.author | 張嘉華 | en_US |
| dc.contributor.author | 林岳欽 | en_US |
| dc.contributor.author | 成維華 | en_US |
| dc.contributor.author | 劉世謙 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:11:51Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:11:51Z | |
| dc.date.issued | 2013-07-16 | en_US |
| dc.description.abstract | 形成T型閘極結構的方法。首先，提供一半導體基材，並於半導體基材上形成一具有至少兩種顯影速率之光阻體結構。接著，根據一遮罩，圖案化光阻體結構，其中係對該光阻體結構進行斜向曝光，並根據該至少兩種顯影速率顯影曝光後之光阻體結構，來形成一光阻槽道並暴露出部分半導體基材，其中所形成之光阻槽道具有一相較於底部還要寬的上方部分。接著，將閘極材質回填於光阻槽道，並移除圖案化光阻體結構，形成該T型閘極結構。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/336 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/28 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/103236 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 形成一Ｔ型閘極結構的方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |