用於減緩介金屬化合物成長之方法
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201308451 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 陳智 | en_US |
| dc.contributor.author | 杜經寧 | en_US |
| dc.contributor.author | 蕭翔耀 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:11:59Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:11:59Z | |
| dc.date.issued | 2013-02-16 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明係有關於一種用於減緩介金屬化合物成長之方法，步驟包含：(i)製備一基板元件，包括在一基板上電鍍至少一金屬墊層，接著在該金屬墊層上電鍍至少一很薄的一薄銲料，進行適當的熱處理製程；(ii)在該基板元件上再鍍上適當厚度的銲料；其中，該薄銲料經過適當的熱處理後，會與金屬墊之金屬反應形成一薄的介金屬化合物，因此可以在之後的迴銲製程抑制介金屬化合物的生成速率之效果，藉以減緩微小接點銲料與金屬墊上的金屬反應變成介金屬化合物。一旦介金屬化合物成長速率能被減緩，錫晶鬚(Sn whisker)的成長也可以被抑制。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/60 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/103314 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 用於減緩介金屬化合物成長之方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |