半導体装置及びその製造方法
| dc.citation.patentcountry | JPN | en_US |
| dc.citation.patentnumber | 2018098478 | en_US |
| dc.contributor.author | 張 翼 | en_US |
| dc.contributor.author | 劉 世謙 | en_US |
| dc.contributor.author | ▲黄▼ 崇▲カイ▼ | en_US |
| dc.contributor.author | ▲呉▼ 佳勳 | en_US |
| dc.contributor.author | 韓 秉承 | en_US |
| dc.contributor.author | 林 岳欽 | en_US |
| dc.contributor.author | 謝 廷恩 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2019-04-11T06:15:21Z | |
| dc.date.available | 2019-04-11T06:15:21Z | |
| dc.date.issued | 2018-06-21 | en_US |
| dc.description.abstract | 【課題】閾値を６Ｖよりも大きくし、誤起動の発生を効果的に避ける半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、基材１１０と、チャネル層１２０と、バリア層１３０と、溝と、電荷トラップ層２２０と、強誘電体材料２３０と、ゲート２５０と、ソースＳと、ドレインＤと、を含む。チャネル層１２０は、基材１１０に配置される。バリア層１３０は、チャネル層１２０に配置される。バリア層１３０は溝を有し、且つ、溝の下方のバリア層１３０は、厚さを有する。ドレインＤとソースＳは、バリア層１３０に配置される。電荷トラップ層２２０は、溝の底面を覆う。強誘電体材料２３０は、電荷トラップ層２２０に配置される。ゲート２５０は、強誘電体材料２３０に設けられる。【選択図】図４Ａ | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/338 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/778 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/812 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/336 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/78 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/8246 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L027/105 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/788 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/792 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/28 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/316 | en_US |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/151463 | |
| dc.language.iso | en_US | en_US |
| dc.title | 半導体装置及びその製造方法 | en_US |
| dc.type | Patents | en_US |