<link rel="stylesheet" href="styles.cf390c6bfbe7555f.css">

自己整合薄膜トランジスタの製造方法とその構造体

Simple item page
dc.citation.patentcountryJPNzh_TW
dc.citation.patentnumber2011014858zh_TW
dc.contributor.author周政偉en_US
dc.contributor.author冉暁▲ブン▼en_US
dc.contributor.author蔡娟娟en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:16:24Z
dc.date.available2014-12-16T06:16:24Z
dc.date.issued2011-01-20en_US
dc.description.abstract【課題】自己整合薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造方法を提供する。【解決手段】先ず、透明基板の第１表面上に酸化物ゲート、誘電体層、及びフォトレジスト層を順に堆積する。次に、該透明基板の第１表面と反対側の第２表面に紫外光を照射することで、該フォトレジスト層を露光する。この時、該酸化物ゲートからなるゲートはマスクとして働き、該フォトレジスト層の該酸化物ゲートに対応する部分に照射される紫外光を吸収する。次に、該露光されたフォトレジスト層を除去し、該フォトレジスト層の未露光部分と該誘電体層との上に透明導電層を堆積する。次に、該透明導電層にパターン形成プロセスを実行して、ソースとドレインとを形成し、ソース、ドレイン、及び誘電体層を覆うようアクティブ層を形成して、自己整合ＴＦＴ構造体が完成する。【選択図】図１zh_TW
dc.identifier.govdocH01L029/786zh_TW
dc.identifier.govdocH01L021/336zh_TW
dc.identifier.govdocH01L029/417zh_TW
dc.identifier.govdocH01L029/49zh_TW
dc.identifier.govdocH01L029/423zh_TW
dc.identifier.urihttps://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/105823
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title自己整合薄膜トランジスタの製造方法とその構造体zh_TW
dc.typePatentsen_US

Files

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed to upon submission
Description:
Download

Collections

專利資料;;Patents