使用共用傳導層傳送晶片間多重信號之系統
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I430426 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 蘇朝琴 | en_US |
| dc.contributor.author | 何盈杰 | en_US |
| dc.contributor.author | 黃博祥 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:13:01Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:13:01Z | |
| dc.date.issued | 2014-03-11 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明提供一種使用共用傳導層傳送晶片間多重信號之系統，其包括一第一晶片、一第二晶片、及一共用傳導層。該第一晶片至少具有第一晶片之第一金屬層墊及一第二金屬層墊。該第二晶片至少具有第二晶片之第一金屬層墊及一第二金屬層墊。該共用傳導層為導電材料，該共用傳導層直接黏合該第一晶片及該第二晶片，其中，第二晶片之第一金屬層墊係對齊該第一晶片之第一金屬層墊，以透過該共用傳導層而接收來自該第一晶片之第一金屬層墊之訊號，而不受來自其它該第一晶片及第二晶片之金屬層墊之訊號的影響。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L025/065 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L023/48 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/103964 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 使用共用傳導層傳送晶片間多重信號之系統 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |