鉑-矽複晶系統在積體電路應用上之相關技術(II)
Abstract
矽化鉑(PtSi)具有化學性質穩定,電阻係數低,矽 化時消耗矽材體積最小等優點,而且是最早應用 到積體電路上的金屬矽化物;但因高溫穩定性不 足,用途僅限於雙載子電路的接觸材料.我們在最 近兩三年對於Pt-Si(單晶矽)系統在積體應用上的材料性質及製程技術的研究,已經獲得一全面性 的基本瞭解和突破,確信在未來次微米元件尺寸 繼續縮小及製程溫度繼續降低的必然趨勢下,PtSi 在積體電路的應用上將是最具潛力的金屬矽化物 .然而PtSi的積體電路應用,不僅與單晶的Si基板有 關,亦與複晶矽膜(Poly-Si)有密切關聯.
Description
Keywords
可靠度 , 接觸電阻 , 障礙層 , 雜質擴散 , 多晶矽 , Reliability , Contact resistance , Barrier layer , Dopant diffusion , Polysilicon