非揮發性半導體記憶體裝置
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201250694 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 林鴻志 | en_US |
| dc.contributor.author | 林哲民 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:01Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:12:01Z | |
| dc.date.issued | 2012-12-16 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明提供一種非揮發性半導體記憶體裝置,具有共用背閘極的獨立雙閘極SONOS記憶胞陣列的非揮發性記憶體結構,可應用於三維積成的快閃記憶體上。此種結構由於獨立雙閘極的控制,具有改善短通道效應、高寫入或抹移除效率,及有效避免讀取干擾等操作特性上的優點,藉由共用背閘極以及無接面的特性,可大幅簡化製程。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | G11C016/12 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/8247 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L027/115 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/103343 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 非揮發性半導體記憶體裝置 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |