化合物半導體元件之銅金屬化之歐姆接觸電極
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I291232 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 張翼 | en_US |
| dc.contributor.author | 陳克弦 | en_US |
| dc.contributor.author | 李承士 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:02Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:17:02Z | |
| dc.date.issued | 2007-12-11 | en_US |
| dc.description.abstract | 一種化合物半導體元件之銅金屬化之歐姆接觸電極，經過電子束蒸鍍沈積鈀(Pd)層、鍺(Ge)層及銅(Cu)層於化合物半導體元件上所組成，接著利用浮離製程(Lift-off)去除多餘之金屬及光阻，最後進行快速高溫退火過程而形成歐姆接觸電極。其中低電阻值之歐姆接觸電極係利用調整鈀層、鍺層及銅層之厚度及配合退火溫度而形成，可應用於銅金屬化製程，有效增加化合物半導體元件的散熱特性，且使生產成本降低。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/47 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/285 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/106245 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 化合物半導體元件之銅金屬化之歐姆接觸電極 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |