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重新調序緩衝器

dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumberI499969zh_TW
dc.contributor.author陳紹基en_US
dc.contributor.author黃紳睿en_US
dc.contributor.author王柏崴en_US
dc.date.accessioned2015-12-04T07:03:27Z
dc.date.available2015-12-04T07:03:27Z
dc.date.issued2015-09-11en_US
dc.description.abstract一種重新調序緩衝器,包括:一第一記憶體模組,具有m個第一單埠記憶體單元,每一該第一單埠記憶體單元儲存N/2m筆位元資料,N為傅立葉轉換之位元長度,m係為2的冪次方;一第二記憶體模組,具有m個第二單埠記憶體單元,每一該第二單埠記憶體單元儲存N/2m筆位元資料;一寫入交換器,電性連接該第一記憶體模組及該第二記憶體模組,該寫入交換器係接收2的冪次方傅立葉轉換之反向位元資料,並將該反向位元資料交換為一預設排列方式之寫入位元資料,並交替寫入該第一記憶體模組及該第二記憶體模組中;一讀寫控制器,電性連接該寫入交換器、該第一記憶體模組及該第二記憶體模組,該讀寫控制器係控制該寫入位元資料寫入該第一記憶體模組或該第二記憶體模組中,或者是自該第一記憶體模組或該第二記憶體模組中讀出該位元資料;及一讀取交換器,電性連接該第一記憶體模組、該第二記憶體模組及該讀寫控制器,該讀取交換器係交替將該第一記憶體模組及該第二記憶體模組內的該位元資料分別交換為自然順序之輸出位元資料,並以m個輸出路徑將該輸出位元資料輸出。zh_TW
dc.identifier.govdocG06F005/06zh_TW
dc.identifier.govdocG06F013/16zh_TW
dc.identifier.govdocG06F017/14zh_TW
dc.identifier.urihttps://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/128773
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title重新調序緩衝器zh_TW
dc.typePatentsen_US

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