超晶格結構的太陽能電池
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201128789 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 張俊彥 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:17Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:12:17Z | |
| dc.date.issued | 2011-08-16 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明提供一種高效率新型a-Si/c-Si之薄膜太陽能電池，其使用選自於由超晶格層、a-SiGe層、a-Si與μc-Si之混合層、及a-Si與poly-Si之混合層所構成的群組之至少一者來作為具有固定能隙之過渡層，或者是使用選自於由超晶格層、a-SiGe層、a-Si漸變為μc-Si之層、及a-Si漸變為poly-Si之層所構成的群組之至少一者來形成具有漸變能隙之過渡層，來取代習知的多接面串疊型太陽電池中之n+/TCO/p+接面，使太陽能電池的整體能隙更平滑而降低載子被再結合的機率，其中藉由在成膜期間調整製程氣體中之氫含量來形成a-Si與μc-Si之混合層、a-Si與poly-Si之混合層、a-Si漸變為μc-Si之層、或a-Si漸變為poly-Si之層。此外，藉由在a-Si/c-Si二層光吸收層結構中增加作為第3層光吸收層之μc-Ge層而成為a-Si/c-Si/μc-Ge三層光吸收層結構，能吸收太陽光譜中之長波長光，提升光吸收效果。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L031/065 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L031/028 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L031/18 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/103556 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 超晶格結構的太陽能電池 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |