太陽エネルギ電池のＧｅｘＳｉ１－ｘ緩衝層をシリコンウェハ上に形成する方法。

dc.citation.patentcountry	JPN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	5001985	zh_TW
dc.contributor.author	張翼	en_US
dc.contributor.author	唐士軒	en_US
dc.contributor.author	林岳欽	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:16:23Z
dc.date.available	2014-12-16T06:16:23Z
dc.date.issued	2012-05-25	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L031/04	zh_TW
dc.identifier.uri	https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/105804
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	太陽エネルギ電池のＧｅｘＳｉ１－ｘ緩衝層をシリコンウェハ上に形成する方法。	zh_TW
dc.type	Patents	en_US

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