以奈米孔陽極氧化鋁(AAO)版模法製作電子場發射奈米結構材料

Abstract

我們擬以自組裝陽極氧化鋁(anodic aluminum oxide, AAO)奈米孔道陣列作為版模，製作 奈米碳管與奈米尖錐等奈米結構材料，藉以研究奈米碳管等奈米結構材料在AAO 中的 生長特性，並開發AAO 版模技術做為奈米材料結構之製作平台。我們將利用以AAO 版模翻印成長的奈米結構材料陣列做為場發射源，研究不同奈米結構的電子場發射特 性，並結合IC 製程技術將AAO 孔道陣列製作於三極體結構中，探討其應用於場發射顯 示技術的可行性。依奈米材料種類與製程結構，我們將研究項目分為(一) 整合AAO 於 場發射三極體(triode)結構內，建立以AAO 版模製作奈米結構電子場發射材料的技術平 台，奈米碳管將是首要的研究對像；(二)在AAO-Triode 成長高品質的CNT 場發射源， 我們將進行CNT 發射源表面污染與AAO 基部-CNT 界面特性研究，藉以改善CNT 的製 程條件，成長高品質的CNT 場發射源；(三)以AAO 版模製作矽奈米尖錐場發射源，並 於其表面沉積高穩定性、低功函數的IrO2 與-C 薄膜，探討改質後Si 奈米尖錐場發射 特性。