平面光波導放大器用之高功率及低溫製程鉺、鐿共摻雜氧化鈦薄膜材料
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I226127 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 陳三元 | en_US |
| dc.contributor.author | 丁初稷 | en_US |
| dc.contributor.author | 張鳴修 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:24Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:17:24Z | |
| dc.date.issued | 2005-01-01 | en_US |
| dc.description.abstract | 本案係為一種以氧化鈦材料來當作母材的鉺、鐿共摻雜氧化鈦薄膜，其藉由鐿離子的共摻雜，將使得此薄膜所放射出的~1.54μm螢光的發光強度比鉺、鋁共摻雜氧化矽薄膜的螢光強度強約17倍，且此螢光頻譜的半高寬亦增寬約1.4倍，此外，同時此薄膜亦具有較低的製程溫度(比鉺、鐿共摻雜氧化矽之製程溫度低~300℃)，故其可應用在積體光學中平面光波導放大器的製作上。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L027/108 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L027/108 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/106412 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 平面光波導放大器用之高功率及低溫製程鉺、鐿共摻雜氧化鈦薄膜材料 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |