深次微米MOS及Bipolar元件的模擬、分析及技術發展
Abstract
本研究針對未來極大型(ULSI)積體電路之重 要元件所面臨的設計問題進行前瞻性的研究, 其中包括元件縮小的準則、可靠性問題、元件 模擬及模式的建立、元件結構的最佳化、測試 鍵的計測及參數粹取的方法等.探討的元件包 括本體式金氧半場效電晶體、雙載子電晶體、 快閃記憶元件及薄膜場效電晶體等.
Description
Keywords
金氧半導體場效電晶體 , 雙極性電晶體 , 薄膜電晶體 , 超大型積體電路 , 模擬 , MOSFET , Bipolar transistor , Thin film transistor , VLSI , Modeling