能帶邊緣型光子晶體雷射二極體
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I419427 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 陳士偉 | en_US |
| dc.contributor.author | 盧廷昌 | en_US |
| dc.contributor.author | 郭浩中 | en_US |
| dc.contributor.author | 王興宗 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:14:16Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:14:16Z | |
| dc.date.issued | 2013-12-11 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明提供一種能帶邊緣型光子晶體雷射二極體，包含：一低折射率nL之膜層結構、一形成於該低折射率之膜層結構上的發光膜層結構，及一形成於該發光膜層結構中的二維光子晶體。該發光膜層結構具有一高折射率nH、一中心波長λ0及一膜層厚度；其中，nH-nL＞0.15，且該發光膜層結構之膜層厚度是至少小於10λ0/nH。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01S005/18 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/104609 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 能帶邊緣型光子晶體雷射二極體 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |