低電能靜態隨機存取記憶體
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I470640 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 莊景德 | en_US |
| dc.contributor.author | 楊皓義 | en_US |
| dc.contributor.author | 夏茂墀 | en_US |
| dc.contributor.author | 黃威 | en_US |
| dc.contributor.author | 陳家政 | en_US |
| dc.contributor.author | 石維強 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2015-05-12T02:59:59Z | |
| dc.date.available | 2015-05-12T02:59:59Z | |
| dc.date.issued | 2015-01-21 | en_US |
| dc.description.abstract | 一靜態隨機存取記憶體，包含：至少一記憶格電路，包含了具有至少二反相器的一閉鎖電路，且包含用以接收電能的兩電能接收端；以及一電能供應電路，用以提供該電能至該記憶格電路，使得當資料被寫入至該閉鎖電路時，該閉鎖電路的供應電壓低於一預定電壓。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | G11C007/10 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/122923 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 低電能靜態隨機存取記憶體 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |