尖端增強之微電漿元件
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 200816254 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 吳正宇 | en_US |
| dc.contributor.author | 金星吾 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:13:04Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:13:04Z | |
| dc.date.issued | 2008-04-01 | en_US |
| dc.description.abstract | 一種尖端增强之微電漿元件,主要是利用微尖端結構具有很强的電場集中效應,乃於陰極板上設置有微尖端電極,可將電場局部集中於微尖端電極上,而易於在陰極板與陽極板間的放電空間中誘發出電漿現象,藉此達到降低電漿崩解電壓的效果。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01J001/02 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/104002 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 尖端增強之微電漿元件 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |