高紅色光飽和度Mn（IV）摻雜之螢光材料及其製法
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 200814359 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 陳登銘 | en_US |
| dc.contributor.author | 羅巨澤 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:13:05Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:13:05Z | |
| dc.date.issued | 2008-03-16 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明係提供一種發光裝置,其係包含一半導體光源,該半導體光源之發光波長係介於250nm~500nm;以及一系列螢光材料組成物,該螢光材料組成物會受該半導體光源所發出的光而激發;其中該螢光組成物係可選自於Mg14(Ge(5-a)Mna)O24、Sr(Ge(4-b)Mnb)O9、Mg2(Ti(1-c)Mn c)O4、Zn2(Ti(1-d)Mn d)O4、SrMg(Al(10-e)Mne )O17、Y3(Ga(5-f)Mn f)O12等化學式所組成之群組中其中之一。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L033/00 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C09K011/57 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C09K011/78 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C09K011/08 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/104009 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 高紅色光飽和度Mn（IV）摻雜之螢光材料及其製法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |