三五族氮化物半導體薄膜之物理特性研究---子計畫II：GaN類半導體材料及物理結構之薄膜製備與特性研究(III)
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氮化鎵 , 薄膜製作 , 量子井 , 量子點 , 同價位元素摻雜 , Gallium nitride , Thin film production , Quantum well , Quantum dot , Isoelectronic doping