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半導體元件之參數萃取方法

dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumberI430125zh_TW
dc.contributor.author郭治群en_US
dc.contributor.author葉國良en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:13:03Z
dc.date.available2014-12-16T06:13:03Z
dc.date.issued2014-03-11en_US
dc.description.abstract一種參數萃取方法,用以萃取一半導體元件的新增通道寬度,其步驟包括:提供一第一多閘指元件及一第二多閘指元件,兩者的閘指數目不相同;進行一去嵌化動作後,量測第一多閘指元件之第一有效電容值以及第二多閘指元件之第二有效電容值;根據第一與第二有效電容值對應於第一與第二多閘指元件的閘指數目的直線關係,以求得一斜率;執行三維電容模擬以計算半導體元件的雜散電容值;提供一長通道元件,並量測其閘極電容值,以求得一通道單位面積電容值;以及利用斜率、雜散電容值以及通道單位面積電容值,以計算得到半導體元件之新增通道寬度。zh_TW
dc.identifier.govdocG06F017/50zh_TW
dc.identifier.govdocH01L029/78zh_TW
dc.identifier.urihttps://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/103997
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title半導體元件之參數萃取方法zh_TW
dc.typePatentsen_US

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