高精確度之半導體元件參數萃取方法
| dc.citation.patentcountry | TWN | en_US |
| dc.citation.patentnumber | 201730792 | en_US |
| dc.contributor.author | 郭治群 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 林彥穎 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2019-04-11T06:02:48Z | |
| dc.date.available | 2019-04-11T06:02:48Z | |
| dc.date.issued | 2017-09-01 | en_US |
| dc.description.abstract | 一種高精確度之半導體元件參數萃取方法，提供第一、第二多閘指元件，及長通道元件，量測第一、二多閘指元件的第一、二本質閘極電容值並與其閘指數量求得截距與斜率，計算多閘指元件的雜散電容值，及量測長通道元件的通道單位面積電容值，以得到多閘指元件的閘極長度與等效總通道寬度，令多閘指元件呈通道關閉狀態，進行去嵌化而計算多閘指元件的本質Y參數，並求得多閘指元件通道關閉狀態的閘極汲極電容值與閘極源極電容值，再執行三維電容模擬得多閘指元件的總雜散電容值，包含閘指側壁邊緣電容(Cof )與閘指端邊緣電容(Cf(poly_end) )。然後，將通道關閉狀態下之閘極汲極電容值與閘極源極電容值扣除總雜散電容值，得到源極/汲極延伸區與閘極交疊區電容值，以計算得到多閘指元件的源極/汲極延伸區與閘極交疊區長度。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | G06F017/50 | en_US |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/151395 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 高精確度之半導體元件參數萃取方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |