検出能を高めるフォトダイオードデバイス及びその形成方法

dc.citation.patentcountry	JPN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	2013120928	zh_TW
dc.contributor.author	ファン－チュンチェン	en_US
dc.contributor.author	シュ－チェンリン	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:16:23Z
dc.date.available	2014-12-16T06:16:23Z
dc.date.issued	2013-06-17	en_US
dc.description.abstract	【課題】暗電流を引き下げ、それによりフォトダイオードデバイスの検出能を引き上げると同時に、良好な光感応及び外部量子効率を維持できるようにし、さらに、現有の無機感光体装置に代替することで、製品コストを引き下げる。【解決手段】基板１０と、基板１０において形成される透明導電性フィルム１２と、透明導電性フィルム１２において形成される導電性ポリマー層１４と、導電性ポリマー層１４において形成される有機活性層１６と、有機活性層１６において形成される電荷ブロッキング層１８と、電荷ブロッキング層１８において形成される陰極金属２０を含むフォトダイオードデバイスの形成方法。【選択図】図１	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L031/10	zh_TW
dc.identifier.uri	https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/105817
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	検出能を高めるフォトダイオードデバイス及びその形成方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US

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