光電晶體
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201205846 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 冉曉雯 | en_US |
| dc.contributor.author | 孟心飛 | en_US |
| dc.contributor.author | 蔡娟娟 | en_US |
| dc.contributor.author | 陳蔚宗 | en_US |
| dc.contributor.author | 趙宇強 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:12Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:12:12Z | |
| dc.date.issued | 2012-02-01 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明係揭露一種光電晶體，該光電晶體包含有一基板、一閘極層、一介電層、一主動層、一源極及一汲極及一光吸收層。閘極層係設於基板上，而介電層則設於閘極層上。主動層係具有一第一能隙並設於介電層上，而源極及汲極則係設於主動層上。其中，光吸收層係具有一第二能隙並覆蓋主動層、源極及汲極，且第二能隙小於第一能隙。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L031/113 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/103502 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 光電晶體 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |