新型記憶體商用化再推進

Abstract

材料科學與工程學系黃彥霖助理教授領導的研究團隊，在國科會補助下，攜手台積電、工研院、國家同步輻射研究中心、史丹佛大學及國立中興大學，成功突破自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）的關鍵材料限制。