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空気媒質層を有する半導体光学装置の製造方法及び空気媒質層の形成方法（Ａｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｏｐｔｉｃａｌｄｅｖｉｃｅｈａｖｉｎｇａｉｒｍｅｄｉａｌａｙｅｒａｎｄｔｈｅｍｅｔｈｏｄｆｏｒｆｏｒｍｉｎｇｔｈｅａｉｒｍｅｄｉａｌａｙｅｒ）

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dc.citation.patentcountryJPNzh_TW
dc.citation.patentnumber2013123025zh_TW
dc.contributor.author盧廷昌en_US
dc.contributor.author黄▲キ▼閔en_US
dc.contributor.author郭浩中en_US
dc.contributor.author王興宗en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:16:23Z
dc.date.available2014-12-16T06:16:23Z
dc.date.issued2013-06-20en_US
dc.description.abstract【課題】半導体光学装置において良好な均一性を有する空気媒質層の製造方法を提供する。【解決手段】基板４０上に、ＧａＮ（窒化ガリウム）薄膜４２と、ＺｎＯ（酸化亜鉛）からなる犠牲層４４１と、窒素化合物を含む半導体層４６と、からなる積層膜を形成した後、酸性溶液に浸すことで一部の犠牲層を取り除き、ＧａＮ（窒化ガリウム）薄膜４２及び窒素化合物を含む半導体層４６の間に残留した犠牲層４４１とその周囲の空間に空気媒質層４４２を有する半導体光学素子４を形成する。【選択図】図５zh_TW
dc.identifier.govdocH01L021/308zh_TW
dc.identifier.govdocH01L021/306zh_TW
dc.identifier.urihttps://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/105816
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title空気媒質層を有する半導体光学装置の製造方法及び空気媒質層の形成方法（Ａｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｏｐｔｉｃａｌｄｅｖｉｃｅｈａｖｉｎｇａｉｒｍｅｄｉａｌａｙｅｒａｎｄｔｈｅｍｅｔｈｏｄｆｏｒｆｏｒｍｉｎｇｔｈｅａｉｒｍｅｄｉａｌａｙｅｒ）zh_TW
dc.typePatentsen_US

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