黃凱風 Huang, Kai-Feng
電子郵件/E-mail:kfauang@cc.nctu.edu.tw
服務單位/Department:理學院 / 電子物理學系
著作期間/Publish Period:1984 - 2014-06-23
著作統計/Statistics
Article
Others
Plan
序號 No. |
標題 Title |
著作日期 Date |
---|---|---|
1 | 具共振週期增益複雜化合物半導體結構之光電研究 | 2014 |
2 | 具共振週期增益複雜化合物半導體結構之光電研究 | 2013 |
3 | 光與物質交互作用研究-化合物半導體共振腔量子電動力學 | 2012 |
4 | 光與物質交互作用研究-化合物半導體共振腔量子電動力學 | 2011 |
5 | 光與物質交互作用研究---化合物半導體共振腔量子電動力學 | 2010 |
6 | 化合物半導體微共振腔偏極化激子之光電研究 | 2009 |
7 | 化合物半導體微共振腔偏極化激子之光電研究 | 2008 |
8 | 化合物半導體微共振腔偏極化激子之光電研究設備 | 2007 |
9 | 化合物半導體微共振腔偏極化激子之光電研究 | 2007 |
10 | 以分子束磊晶所長半導體光電元件介觀物理之研究(III) | 2006 |
11 | 以分子束磊晶所長半導體光電元件介觀物理之研究(II) | 2005 |
12 |
以分子束磊晶所長半導體光電元件介觀物理之研究(I) |
2004 |
13 |
垂直共振腔雷射橫模之光學圖案形成研究(II) |
2003 |
14 |
垂直共振腔雷射橫模之光學圖案形成研究(I) |
2002 |
15 |
垂直共振腔面射型雷射光渦旋之研究 |
2001 |
16 | 光纖耦合高效率面射型雷射(III) | 2000 |
17 |
氮砷化銦鋁鎵量子井之光電研究(I) |
2000 |
18 | 砷化銦鎵量子點之研究 | 2000 |
19 | 光纖耦合高效率面射型雷射(II) | 2000 |
20 | 光纖耦合高效率面射型雷射(I) | 1999 |
21 | 分子束磊晶所長III-V氮化合物半導體之光電研究 | 1999 |
22 | 高功率一維列陣面射型紅外光雷射之研製(III) | 1998 |
23 | 具應變之0.808UM高功效半導體雷射 | 1998 |
24 | 以自然氧化層製造半導體雷射之研究---子計畫I:自然氧化層折射導波量子井邊射型雷射 | 1997 |
25 | 以固態磷分子束磊晶所長AlGaInP量子結構之光電研究 | 1997 |
26 | 帶內躍遷量子階梯雷射研究 | 1996 |
27 | 高功率0.808和0.98μm雷射(邊射型) | 1996 |
28 | 耦合量子井之光電研究 | 1995 |
29 | 量子井線之製造與研究 | 1993 |
Proceedings Paper
Thesis
序號 No. |
標題 Title |
著作日期 Date |
---|---|---|
1 | 圖案化基板與粗化表面在氮化鎵LEDs之光電特性研究 | 2013 |
2 | 揚聲器各元件對聲壓曲線之影響 | 2012 |
3 | 淺溝槽隔離平坦化技術在奈米半導體積體電路製造製程研究 | 2011 |
4 |
Ⅲ-族氮化物表層缺陷研究 |
2008 |
5 |
研究在大面積氧化侷限型之面射型雷射之橫向模態 |
2002 |
6 | 磷化鋁鎵銦材料成長、製程與缺陷分析 | 2001 |
7 | 固態源分子束磊晶成長含磷化合物半導體之研究 | 2000 |
8 | 垂直共振腔面射型雷射於光纖通訊模組之應用 | 1998 |
9 | 高溫度電阻係數矽化鉬之製程探討 | 1998 |
10 | 熱導型微加速度計之特殊結構與製程 | 1997 |
11 | 大角度紅外線感測器之製作 | 1997 |
12 | 特殊的垂直放射雷射元件的封裝結構 | 1997 |
13 | InGaAlAs/AlGaAs飽和布拉格反射鏡產生之非線性飽和吸收與反射率之研究 | 1996 |
14 | 高功率半導體雷射製作及高頻雷射包裝之量測 | 1996 |
15 | 高功率半導體雷射製作及高頻雷射包裝之量測 | 1996 |
16 | 質子佈植端面漸細型條狀雷射二極體之研究 | 1995 |
17 | 矽安裝配件完成光纖與光電元件之自動對準耦合 | 1994 |
18 | 面射型雷射的研製與多重量子井能階值之計算 | 1991 |
19 | 砷化鎵上矽離子佈植及退火之研究 | 1991 |
20 | 溶膠-凝膠法的硫化鎘微晶玻璃製作 | 1991 |
21 | 砷化鋁鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體的二維數值模擬 | 1991 |
22 | 真空微電子之閘極化矽晶場發射陣列之研製 | 1991 |
23 | Study of Si□ion-implantation and annealing of GaAs | 1991 |
24 | 光化學氣相沈積法沈積氧化矽薄膜之研究 | 1990 |
25 | 鎘元素在銻化銦內擴散與由其所製成相關元件之研究與分析 | 1989 |
26 | 砷化銦鎵/砷化鎵量子井之研究 | 1989 |
27 | 選擇性無電鍍鉑及其應用 | 1989 |
28 | 以溴蒸氣通入光化學氣相沉積系統所製成SI和InSbMIS 二極體的評估 | 1986 |
29 | 線狀液晶在脈衝式超聲波作用下的聲光效應 | 1986 |
30 | 非晶態矽氫薄膜之光電性質及太陽電池的試製 | 1985 |
31 | 光化學氣相沈積法製備的銻化銦MOS 結構之估量 | 1984 |
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