1. 目前位置：
汪大暉

汪大暉 Wang, Tahui

電子郵件／E-mail：wang@cc.nctu.edu.tw

服務單位／Department：電機學院 ／ 電子工程學系及電子研究所

著作期間／Publish Period：1984 - 2014-01-01

著作統計／Statistics

Article（20）
Patents（3）
Plan（42）
Proceedings Paper（2）
Thesis（96）

Article

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 Statistical Characterization and Modeling of the Temporal Evolutions of Delta V-t Distribution in NBTI Recovery in Nanometer MOSFETs
 2013-03-01
2 Characterization and modeling of trap number and creation time distributions under negative-bias-temperature stress
 2012-08-20
3 V-t Retention Distribution Tail in a Multitime-Program MLC SONOS Memory Due to a Random-Program-Charge-Induced Current-Path Percolation Effect
 2012-05-01
4 Random Telegraph Noise in 1X-nm CMOS Silicide Contacts and a Method to Extract Trap Density
 2012-04-01
5 A Comparative Study of NBTI and RTN Amplitude Distributions in High-kappa Gate Dielectric pMOSFETs
 2012-02-01
6 Variations of V(t) Retention Loss in a SONOS Flash Memory Due to a Current-Path Percolation Effect 2011-04-01
7 A Novel Random Telegraph Signal Method to Study Program/Erase Charge Lateral Spread and Retention Loss in a SONOS Flash Memory
 2011-03-01
8 Use of Random Telegraph Signal as Internal Probe to Study Program/Erase Charge Lateral Spread in a SONOS Flash Memory
 2010-01-01
9 Program Trapped-Charge Effect on Random Telegraph-Noise Amplitude in a Planar SONOS Flash Memory Cell
 2009-11-01
10 Study of quantum confinement effects on hole mobility in silicon and germanium double gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
 2009-10-05
11 A Novel Hot-Electron Programming Method in a Buried Diffusion Bit-Line SONOS Memory by Utilizing Nonequilibrium Charge Transport
 2009-02-01
12 Program Charge Effect on Random Telegraph Noise Amplitude and Its Device Structural Dependence in SONOS Flash Memory 2009-01-01
13 Investigation of Post-NBT Stress Current Instability Modes in HfSiON Gate Dielectric pMOSFETs by Measurement of Individual Trapped Charge Emissions
 2009-01-01
14 Effects of length scaling on electromigration in dual-damascene copper interconnects
 2008-04-01
15 Effects of width scaling and layout variation on dual damascene copper interconnect electromigration
 2007-12-01
16 Impact of self-heating effect on hot carrier degradation in high-voltage LDMOS
 2007-01-01
17 Numerical simulation of bottom oxide thickness effect on charge retention in SONOS flash memory cells
 2007-01-01
18 Extraction of nitride trap density from stress induced leakage current in silicon-oxide-nitride-oxide-silicon flash memory
 2006-10-16
19 Physics and characterization of various hot-carrier degradation modes in LDMOS by using a three-region charge-pumping technique
 2006-09-01
20 Characteristics and physical mechanisms of positive bias and temperature stress-induced drain current degradation in HfSiON nMOSFETs
 2006-06-01

Patents

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 組合多準位記憶單元並使其具備錯誤更正機制的方法
 2006-02-01
2 組合多準位記憶單元並使其具備錯誤更正機制的方法
 2005-11-11
3 マルチレベルメモリセルを組み合わせ、且つこれにエラー訂正メカニズムを具えさせる方法 2005-03-10

Plan

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 單電荷與輻射效應在先進CMOS 和SONOS 元件可靠性之統計量測與模式 2014
2 電阻式記憶元件操作特性與可靠性之統計測量及三度空間原子與電荷傳輸模擬 2014
3 單電荷與輻射效應在先進CMOS 和SONOS 元件可靠性之統計量測與模式 2013
4 電阻式記憶元件操作特性與可靠性之統計測量及三度空間原子與電荷傳輸模擬 2013
5 奈米SONOS元件內單電子效應，可靠性物理及創新研究 2012
6 量子線矽、鍺、砷化鎵奈米CMOS元件內電荷傳輸模擬與可靠性 2012
7 量子線矽、鍺、砷化鎵奈米CMOS元件內電荷傳輸模擬與可靠性 2011
8 奈米SONOS元件內單電子效應，可靠性物理及創新研究 2011
9 量子線矽、鍺、砷化鎵奈米CMOS元件內電荷傳輸模擬與可靠性 2010
10 奈米SONOS元件內單電子效應、可靠性物理及創新研究 2010
11 次32奈米CMOS元件可靠性分析、量子結構效應、與蒙地卡羅電荷傳輸模擬
 2009
12 次50奈米二位元儲存氮化矽快閃式記憶體元件之結構、電荷傳輸與可靠性研究 2008
13 次32奈米CMOS元件可靠性分析、量子結構效應、與蒙地卡羅電荷傳輸模擬 2008
14 次32奈米CMOS元件可靠性分析、量子結構效應、與蒙地卡羅電荷傳輸模擬 2007
15 次50奈米二位元儲存氮化矽快閃式記憶體元件之結構、電荷傳輸與可靠性研究 2007
16 次50奈米二位元儲存氮化矽快閃式記憶體元件之結構、電荷傳輸與可靠性研究 2006
17 奈米CMOS元件量子效應與電荷傳輸模擬及電性與可靠性分析(III) 2006
18 奈米CMOS元件量子效應與電荷傳輸模擬及電性與可靠性分析(II)
 2005
19 雙位元儲存氮化矽快閃式記憶元件技術及可靠性(III)
 2005
20 雙位元儲存氮化矽快閃式記憶元件技術及可靠性(II)
 2004
21 奈米CMOS元件量子效應與電荷傳輸模擬及電性與可靠性分析(I)
 2004
22 雙位元儲存氮化矽快閃式記憶元件技術及可靠性(I)
 2003
23 超薄閘極氧化層CMOS元件軟崩潰效應研究(II)
 2003
24 超薄閘極氧化層CMOS元件軟崩潰效應研究(I)
 2002
25 一種新式氮化矽快閃式記憶元件研究(II)
 2002
26 一種新式氮化矽快閃式記憶元件研究(I) 2001
27 超薄閘極氧化層元件可靠性研究
 2001
28 RF CMOS之特性量測、模式建立與可靠性研究
 2000
29 CMOS發光顯像技術與閘極介電層材料研究---中加合作案(II)
 2000
30 RF CMOS 雜訊分析與可靠性研究
 2000
31 CMOS發光顯像技術與閘極介電層材料研究---中加合作案(I) 2000
32 薄氧化層中漏電流與Soft Breakdown特性與機制研究 2000
33 深次微米元件內熱載子效應所造成汲極漏電流特性退化之研究
 1999
34 穿隧氧化層內漏電流之暫態特性與物理機制
 1999
35 深次微米MOSFET元件可靠性研究---子計畫二：利用改良式浮動閘極法測量氧化層內缺陷所造成之漏電流與理論分析(II) 1998
36 次微米元件內氧化層缺陷暫態特性量測技術 1998
37 金氧半電晶體內界面缺陷所產生汲極漏電流的物理機制與實驗量測 1996
38 950至2050MHz砷化鎵單晶微波積體電路降頻器之設計、模擬與量測 1996
39 量子井元件內量子侷限效應對於光電特性影響之研究 1995
40 次微米元件內熱載子所產生界面缺陷對元件特性的影響 1995
41 次微米元件內汲極漏電流之二維數值模擬 1994
42 三維微電子真空元件模擬器 1994

Proceedings Paper

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 Investigation of Random Telegraph Noise Amplitudes in Hafnium Oxide Resistive Memory Devices 2014-01-01
2 Investigation of hot carrier degradation modes in LDMOS by using a novel three-region charge pumping technique 2006-01-01

Thesis

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 電阻式記憶體中寫入/讀取造成阻態改變錯誤之新機制 2014
2 氮化矽快閃記憶體的電荷傳輸模擬及其對抹除操作下之暫態行為的影響 2014
3 先進互補式金氧半電晶體及快閃式記憶元件中單一電荷效應之統計性研究
 2012
4 氧化鉿電阻式記憶體之隨機電報雜訊分析與蒙地卡羅模擬 2012
5 高介電係數閘極電晶體之負偏壓溫度不穩定性引致臨界電壓改變量分佈之統計特性和模式
 2012
6 氧化鉿電阻式記憶體之操作方法與隨機電報雜訊研究 2012
7 在負偏壓溫度不穩定回復時臨界電壓改變量分佈之統計特性和模式及其時間演繹
 2011
8 高介電係數金屬閘極平面式浮置閘極快閃記憶體特性及其微縮模擬
 2011
9 快閃式記憶體和金氧半電晶體元件中單一電荷所導致的可靠性議題研究
 2010
10 雙重電漿處理下二氧化鉿金屬-絕緣層-半導體電容器的電流傳導機制以及可靠度之研究 2010
11 多層堆疊氧化鉿/氧化鋁電阻轉態層之透明電阻式記憶體特性研究
 2010
12 單一電子在超大型積體電路元件中所造成臨界電壓擾動之三維原子量級模擬
 2010
13 22奈米高介電係數金屬閘極電晶體之正向偏壓溫度不穩定性分析及模擬
 2010
14 超薄高介電常數金屬閘極層之互補式金屬氧化物半導體元件對於隨機電報雜訊的分析
 2010
15 藉由大氣電漿在不同前驅物下沉積二氧化矽薄膜其電性與表面型態之研究 2009
16 氮氣和熱處理對氧化鉿薄膜的電阻式記憶體電性之效應
 2009
17 高靈敏度與非均質矽鍺奈米線於混和氮氧氣體下之氧化特性研究 2009
18 SONOS快閃記憶體中寫入電荷和元件結構對於隨機電報雜訊的影響
 2009
19 單一電子在SONOS快閃式記憶體中的現象，物理以及特性研究
 2009
20 先進互補式金氧半電晶體及氮化矽快閃式記憶元件之可靠度分析和蒙地卡羅模擬
 2009
21 氮化矽快閃記憶體的暫態行為及其應用
 2008
22 高電壓橫向擴散金氧半電晶體中暫態熱載子效應與元件模型之探討
 2008
23 利用氧化提昇矽鍺奈米線生物感測器之靈敏度
 2007
24 以NafionTM/PR包埋結構作為REFET參考場效電晶體感測層之研究
 2007
25 沉積後電漿處理與退火製程對二氧化鉿熱穩定性之影響
 2007
26 矽及鍺通道P型金氧半電晶體二維量子井模擬
 2007
27 TCAD Simulation of Random Program Charge Induced Threshold Voltage Fluctuations in SONOS Device
 2007
28 利用RTS 方法研究SONOS 快閃記憶體寫入/抹除電荷之橫向分佈特性
 2007
29 利用特殊接觸電極進行橫向擴散元件之特性分析與SPICE模型建立
 2007
30 二氧化鉿奈米晶體快閃式記憶元件可靠度分析
 2007
31 適用於靜電放電電路模擬之防護元件模型研究 2006
32 利用蒙地卡羅模擬在應變矽晶面上不同通道方向之電洞傳輸特性
 2006
33 SONOS記憶體陣列中因二次熱電子引致寫入干擾之蒙地卡羅分析
 2006
34 先進 VLSI元件中遠程庫倫散射引起電子遷移率衰減之研究
 2006
35 利用特殊接觸電極研究橫向擴散元件之自發熱效應與可靠度
 2006
36 氮化矽快閃式記憶元件可靠度之探討
 2006
37 新型PHINES和PREM快閃記憶體及氮化矽型發光電晶體之研究
 2005
38 銅導線中電遷移效應所引發之故障特性探討
 2005
39 先進閘極介電層互補式金氧半電晶體中電壓溫度引致不穩定性之研究
 2005
40 利用單電荷釋放現象研究P型氧化層場效電晶體之加溫加壓回復效應與機制
 2005
41 高壓元件LDMOS可靠度分析與SPICE模型建立
 2005
42 金氧半電晶體中通道不均勻由RTN引發電流擾動效應
 2005
43 類比電路中之n型金氧半導體場效電晶體元件汲極電流低頻雜訊之探討
 2004
44 對於利用氮化矽局部電荷儲存之快閃記憶元件可靠度問題的探討
 2004
45 氮化矽快閃記憶體可靠性量測與分析
 2004
46 利用單電荷現象研究高介電係數CMOS之加溫加壓回復效應與缺陷特性
 2004
47 Characterization and SPICE Modeling of High Voltage LDMOS
 2004
48 氮化矽記憶體資料保存行為之數值分析模擬
 2004
49 超薄氧化層絕緣層上覆矽元件中軟式崩潰所引發之可靠性議題的探討
 2004
50 氮化矽記憶元件內電荷分佈與可靠性分析
 2003
51 超薄氧化層n-MOSFET元件之低頻雜訊分析
 2003
52 積體電路元件中因氧化層漏電所引發可靠性問題的探討 2002
53 SONOS元件內儲存電子之能量分佈與傳輸行為 2002
54 LDMOS功率元件特性分析及可靠性研究 2002
55 CMOS元件1/f雜訊特性分析與模擬 2002
56 超薄氧化層元件中直接穿隧效應所引發之氧化層可靠性問題探討 2002
57 深次微米元件之低頻雜訊分析 2001
58 超薄氧化層CMOS元件中低頻雜訊分析 2001
59 研究及控制離子佈植產生缺陷所引發之異常擴散在0.13微米及以下元件設計上的應用 2001
60 射頻CMOS雜訊數值模擬 2000
61 鐵電記憶元件特性量測與電路模擬 2000
62 氮化矽記憶元件可靠性量測與分析 2000
63 超薄閘極氧化層電荷傳輸和C-V模擬與特性 1999
64 深次微米元件中熱載子效應所引發之氧化層可靠度 1999
65 穿遂氧化層漏電流之特性與模擬 1998
66 薄氧化層n型與p 型金氧半元件中熱載子效應對汲極電流的退化 1998
67 射頻CMOS特性量測與電路模式 1998
68 一種量測快閃式記憶體元件中微量漏電流的新式方法 1996
69 金氧半電晶體內界面缺陷所產生汲極漏電流的溫度效應 1996
70 薄氧化層的金氧半元件中閘極漏電流之模式 1996
71 利用暫態電流量測技術研究超大型積體電路元件中氧化層之可靠度 1996
72 一種新式氧化層缺陷量測方法 1995
73 次微米n-MOS在低汲極偏壓下,因電子間的交互作用所產生之閘極漏電流 1995
74 單晶微波積體電路之元件傳輸物理、元件模式化與一2 GHz降頻器之設計 1994
75 次微米MOS中的熱載子效應 1994
76 寄生在CMOS中之BJT的特性分析與模式 1994
77 三維微電子真空元件模擬 1994
78 量子井面向雷射特性與數值模擬 1993
79 CMOS橫向雜散雙極性電晶體在能隙參考電位線路中之特性分析, 模擬以及設計製作 1993
80 次微米元件中因熱載子入射引發之可靠度問題之物理、模擬與量測 1993
81 CMOS橫向雜散雙極性電晶體在能隙參考電位線路中之特性分析,模擬以及設計製作 1993
82 二維量子井半導體雷射模擬 1992
83 Three-Dimensional Vacuum Microelectronic Field Emission Device Simulator 1992
84 積體電路中電子遷移現象之分析 1991
85 量子線中-維電子傳輸特性之研究 1991
86 DX中心對高電子移動率電晶體暫態行為影響之數值分析 1989
87 以砷化鎵為基底的量子井元件中熱電子傳導特性之研究 1989
88 分子束磊晶成長之砷化鎵金半場效電晶體低溫緩衝層及頻率相關電流超射效應之研究 1989
89 高速元件和電路中雜散效應的數值分析 1989
90 砷化鎵金半場效電晶體熱電子模型二維數值模擬與分析 1989
91 Dx陷阱中心對高電子移動率電晶體元件與電路之暫態效應與可靠性研究 1989
92 GaAs/AlGaAs量子井電子傳輸的幾何效應 1989
93 多重量子井場效電晶體之物理及傳輸特性研究 1989
94 矽質金氧半電晶體熱電子效應之研究 1989
95 砷化鎵金半場效電晶體中基座陷阱產生慢暫態之電路模擬模式 1988
96 二維量子井半導體雷射模擬 1984
電機學院