1. 目前位置：
李威儀

李威儀 Lee, Wei-I

電子郵件／E-mail：wilee@cc.nctu.edu.tw

服務單位／Department：理學院 ／ 應用科技組

著作期間／Publish Period：1992 - 2014-07-07

著作統計／Statistics

Article（40）
Digital Courses（3）
Others（3）
Patents（14）
Plan（30）
Proceedings Paper（15）
Thesis（87）

Article

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 High performance 380-nm ultraviolet light-emitting-diodes with 3% efficiency droop by using free-standing GaN substrate manufacturing from GaAs substrate
 2014-07-07
2 A Simple Growth Method to Produce a-Plane GaN Thick Films by Hydride Vapor Phase Epitaxy
 2013-08-01
3 Hydrogen etching of GaN and its application to produce free-standing GaN thick films
 2011-10-15
4 Hydrogen etching on the surface of GaN for producing patterned structures
 2011-01-01
5 Method for modulating the wafer bow of free-standing GaN substrates via inductively coupled plasma etching
 2010-12-01
6 Stress and Defect Distribution of Thick GaN Film Homoepitaxially Regrown on Free-Standing GaN by Hydride Vapor Phase Epitaxy
 2010-01-01
7 High-Quality Free-standing GaN Thick-films Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy using Stress Reducing Techniques
 2009-01-01
8 A Novel Technique for Growing Crack-Free GaN Thick Film by Hydride Vapor Phase Epitaxy
 2008-11-01
9 Comparison between extended microtunnels along different crystal orientations in GaN
 2008-01-01
10 Deep-level emissions in GaAsN/GaAs structures grown by metal organic chemical vapor deposition
 2007-06-15
11 Using planarized p-GaN layer to reduce electrostatic discharged damage in nitride-based light-emitting diode
 2007-05-01
12 Effects of strained InGaN interlayer on contact resistance between p-GaN and indium tin oxide
 2007-04-30
13 Extended microtunnels in GaN prepared by wet chemical etch
 2006-11-13
14 Nonlithographic random masking and regrowth of GaN microhillocks to improve light-emitting diode efficiency
 2006-01-01
15 Thickness dependence of current conduction and carrier distribution of GaAsN grown on GaAs
 2005-10-01
16 Investigation of populated InAs/GaAs quantum dots by photoluminescence and photoreflectance
 2005-01-01
17 Electrooptical properties of GaNAs/GaAs multiple quantum well structures
 2003-07-25
18 Low resistance Ohmic contacts to n-GaN by Ar plasma and forming gas ambient treatments
 2003-07-01
19 Liquid phase deposited SiO2 on GaN
 2003-04-29
20 Observation of dislocation etch pits in epitaxial lateral overgrowth GaN by wet etching
 2002-04-01
21 Influence of barrier growth temperature on the properties of InGaN/GaN quantum Well
 2001-09-01
22 Activation of p-type GaN in a pure oxygen ambient
 2001-05-15
23 Characterization of p-type InxGa1-xN grown by metalorganic chemical vapor deposition
 2001-03-01
24 Phosphorus vacancy as a deep level in AlInP layers
 2000-06-15
25 Ga0.5In0.5P barrier layer for wet oxidation of AlAs
 2000-05-01
26 Study the Al-oxide/GaAs Interface Characteristics by Spectral Response of GaAs Solar Cells 2000-01-01
27 A dopant-related defect in Te-doped AlInP
 1999-08-01
28 Mg-related deep levels in AlInP
 1999-07-01
29 Majority- and minority-carrier traps in Te-doped AlInP
 1999-01-11
30 Two-dimensional arsenic precipitation in superlattice structures of alternately undoped and heavily Be-doped GaAs grown by low-temperature molecular beam epitaxy 1998-04-20
31 Degradation phenomena of multilayer ZnO-glass varistors studied by deep level transient spectroscopy 1996-09-16
32 Deep level transient spectroscopy depth profile measurements of polycrystalline zinc oxide ceramic 1996-09-15
33 Defects and degradation in ZnO varistor 1996-07-22
34 Analysis of influence of alkyl sources on deep levels in GaN by transient capacitance method
 1996-07-01
35 Temperature-dependent transport properties of n(+) GaAs/low-temperature GaAs/n(+) GaAs structures grown by molecular beam epitaxy 1996-06-01
36 Source of Ge centers in AlGaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy and the effect of impurity getters 1996-03-04
37 Wide bandwidth AlAs/AlGaAs tandem Bragg reflectors grown by organometallic vapor phase epitaxy 1995-12-18
38 EFFECTS OF COLUMN-III ALKYL SOURCES ON DEEP LEVELS IN GAN GROWN BY ORGANOMETALLIC VAPOR-PHASE EPITAXY 1995-09-18
39 SELECTIVE EPITAXIAL-GROWTH OF GAINP BY LOW-PRESSURE METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION USING ETHYLDIMETHYLINDIUM AS IN-SOURCE
 1994-10-24
40 ORGANOMETALLIC VAPOR-PHASE EPITAXIAL-GROWTH OF ALASXSB1-X FILMS USING TERTIARYBUTYLARSINE
 1994-03-15

Digital Courses

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 光電子學
 2007
2 物理（一）
 2006
3 物理（二）
 2006

Others

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 Nonpolar a-plane GaN grown on r-plane sapphire using multilayer AlN buffer by metalorganic chemical vapor deposition
 2011-01-15
2 Formation of two-dimensional arsenic precipitation in superlattice structures of alternately undoped and heavily Be doped GaAs with varying periods grown by low-temperature molecular beam epitaxy
 1998-05-01
3 Modified process control chart in IC fabrication using clustering analysis 1997-01-01

Patents

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 一種平整化氮化物基板的方法
 2014-07-01
2 含氮化合物半導體層缺陷之處理方法
 2014-05-01
3 一種氮化物半導體磊晶層的表面處理方法
 2013-09-01
4 含氮化合物半導體層缺陷之處理方法
 2013-05-01
5 具有非極性三族-氮化物層的多層結構及其製法
 2012-12-21
6 一種平整化氮化物基板的方法
 2012-07-16
7 一種氮化物半導體磊晶層的表面處理方法
 2012-03-16
8 一種於氮化物半導體進行蝕刻的方法
 2012-03-01
9 一種成長ＩＩＩ－Ｖ族氮化物薄膜之方法及其結構
 2010-10-16
10 METHOD FOR GROWING GROUP III-V NITRIDE FILM AND STRUCTURE THEREOF
 2010-10-07
11 具有非極性三族－氮化物層的多層結構及其製法
 2010-08-16
12 MANUFACTURE METHOD OF MULTILAYER STRUCTURE HAVING NON-POLAR A-PLANE III-NITRIDE LAYER
 2010-08-05
13 Etching method for nitride semiconductor
 2009-03-05
14 一種於氮化物半導體進行蝕刻的方法
 2008-11-01

Plan

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 氮極性面氮化鎵上成長量子結構之原理與應用 2014
2 極性與非極性氮化物薄膜同質磊晶於氮化鎵基板之成長機制與光電特性研究 2012
3 科普活動：電影談物理
 2011
4 極性與非極性氮化物薄膜同質磊晶於氮化鎵基板之成長機制與光電特性研究 2011
5 科普活動---電影談物理
 2010
6 極性與非極性氮化物薄膜同質磊晶於氮化鎵基板之成長機制與光電特性研究 2010
7 非極性氮化鎵薄膜成長機制探討及光電特性分析研究 2009
8 以單晶氮化鎵基板上同質磊晶成長氮化鋁銦鎵系列發光元件之研究 2009
9 以氫化物氣相磊晶法開發III-V族氮化物基板( II )
 2008
10 非極性氮化鎵薄膜成長機制探討及光電特性分析研究 2008
11 非極性氮化鎵薄膜成長機制探討及光電特性分析研究 2007
12 以氫化物氣相磊晶法開發III-V族氮化物基板(I) 2006
13 陽極氧化鋁奈米級孔洞應用在氮化鎵磊晶技術之研究 2006
14 GaN/GaInN量子結構及藍紫光雷射二極體研究(III3) 2006
15 GaN/GaInN量子結構及藍紫光雷射二極體研究(II)
 2005
16 GaN/GaInN量子結構及藍紫光雷射二極體研究(I) 2004
17 GaN/GaInN量子結構及藍紫光雷射二極體研究
 2003
18 有機金屬氣相磊晶法成長砷化銦鎵與砷化銦量子點特性研究
 2001
19 InGaNAs與GaNAaSb量子井特性研究
 2000
20 GaNAs與GaInNAs的磊晶成長與特性研究
 2000
21 集光式砷化鎵太陽電池及發電模組的製作
 1999
22 氮化鎵族光電材料與元件之研發---子計畫I：氮化物藍光波段元件結構磊晶研究(I)
 1999
23 遠距電漿輔助及垂直型二硫式氮化鎵磊晶表面反應之分析與研究
 1998
24 磷化銦鎵/砷化鎵雙接面太空用太陽電池之研發
 1998
25 高效率太空用太陽電池之研究發展 1997
26 高效率太陽電池之研發 1996
27 具有梯狀導波管之虛陰極振盪器線路理論分析研究 1996
28 高效率太空用太陽電池的研究發展 1995
29 有機金屬氣相磊晶法成長寬能隙氮化物材料之研究 1995
30 高效益太空用太陽電池的研究發展 1994

Proceedings Paper

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 Free-standing a-plane GaN substrates grown by HVPE
 2012-01-01
2 Homoepitaxy on GaN substrate with various treatments by metalorganic vapor phase epitaxy
 2011-03-01
3 Hydrogen etch of GaN and its application to produce porous GaN caves
 2011-01-01
4 Strain-reduced GaN thick-film grown by hydride vapor phase epitaxy utilizing dot air-bridged structure
 2009-05-01
5 Effective reduction of bowing in free-standing GaN by N-face regrowth with hydride vapor-phase epitaxy
 2009-05-01
6 Non-polar a-plane GaN grown on LaAlO3 (001) substrate by pulsed laser deposition
 2008-04-01
7 Formation of nitride laser cavities with cleaved facets on transferred laser diodes on GaAs substrates
 2008-01-01
8 Preparation of extended microtunnels in GaN by wet chemical etching
 2007-06-01
9 Thermal stability of plasma-treated ohmic contacts to n-GaN
 2003-04-01
10 Photoreflectance characterization of GaNAs/GaAs multiple quantum well structures 2002-01-01
11 Influence of barrier growth temperature on the properties of InGaN/GaN quantum wells
 2001-01-01
12 Characteristics of optical properties of the interrupt growth method on InGaN/GaN MQW structures 2000-01-01
13 Study of a common deep level in GaN
 1999-01-01
14 Outlook for photovoltaic developments in Taiwan
 1998-05-01
15 SELECTIVE EPITAXIAL-GROWTH OF GAINP BY LP-MOCVD USING ETHYLDIMETHYLINDIUM, TRIMETHYLINDIUM, TRIMETHYLGALLIUM AND TRIETHYLGALLIUM AS GROUP-III SOURCES 1994-12-01

Thesis

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 獨立式氮化鎵氮極性面蕭特基二極體表面處理後之特性探討 2014
2 氨氣熱退火處理氮極性面氮化鎵基板之研究 2014
3 氮極性獨立式氮化鎵基板磷酸蝕刻機制與形貌探討
 2014
4 氮極性及非極性氮化鎵氫氣蝕刻之研究 2014
5 氫氣蝕刻氮化鎵之原理與應用 2013
6 氮極性面氮化鎵基板之磷酸蝕刻活化能與表面形貌特性研究
 2013
7 以氫化物氣相磊晶法在獨立式氮化鎵基板氮極性面再成長之研究 2013
8 利用氫化物氣相磊晶法直接在藍寶石基板上成長非極性氮化鎵之研究 2013
9 獨立式氮化鎵不同極性面對於金屬半導體接面的影響
 2012
10 氮化鎵基板的開發與同質磊晶研究 2011
11 以二階段氫化物氣相磊晶法製作非極性氮化鎵基板之研究
 2011
12 利用化學機械研磨與熱退火處理氮化鎵基板表面之研究
 2010
13 氫氣蝕刻氮化鎵及其後續成長之研究
 2010
14 以氫化物氣相磊晶成長非極性氮化鎵基板之研究
 2010
15 蕭特基紫外光偵測器製作於獨立式氮化鎵基板上之研究
 2010
16 以氫化物氣相磊晶法在氮化鎵基板上成長高品質氮化鎵厚膜之研究
 2010
17 在不同緩衝層上以有機金屬化學氣相磊晶法成長非極性氮化鎵之研究 2009
18 利用氫化物氣相磊晶法成長非極性氮化鎵之研究 2009
19 氮化鎵基板經化學機械研磨後損害層觀察與去除之研究 2009
20 氫氣處理對氮化鎵表面影響之研究 2009
21 氮化鎵基板表面化學拋光製成之研究
 2008
22 利用奈米壓印微影及氫化物氣相磊晶技術成長氮化鎵之研究
 2008
23 以氫化物氣相磊晶技術在獨立式氮化鎵基板上再成長氮化鎵厚膜
 2008
24 氮化鎵厚膜翹曲效應分析及其改善之研究
 2008
25 以氫化物氣相磊晶法開發氮化鎵基板研究
 2008
26 利用氫化物氣相磊晶法在藍寶石基板上直接成長氮化鎵厚膜
 2008
27 以鎳薄膜除潤現象製作多孔遮罩成長氮化鎵厚膜之研究 2007
28 以氫化物氣相磊晶成長非極性氮化鎵厚膜之研究
 2007
29 利用雷射剝離技術製作獨立式氮化鎵基板之研究 2007
30 利用陽極氧化鋁及氫化物氣相磊晶技術成長氮化鎵厚膜之研究 2007
31 以低壓成長之有機金屬氣相磊晶法改善氮化銦鎵/氮化鎵發光二極體元件特性之研究 2006
32 p型氮化鋁鎵之歐姆接觸研究
 2006
33 利用金屬黏合及劈裂技術完成氮化鎵雷射二極體共振腔
 2006
34 利用陽極氧化鋁為蝕刻光罩研究 2006
35 以氫化物氣相磊晶法成長氮化鎵厚膜之陰極螢光特性分析 2006
36 用氫化物氣相磊晶法成長氮化鎵厚膜之應力分析 2006
37 利用雷射剝離與晶圓黏合技術製作氮化鎵雷射共振腔劈裂鏡面 2006
38 氮化鎵厚膜之選擇性化學蝕刻特性研究
 2005
39 在矽基材與氮化鎵基材上利用陽極氧化鋁製作奈米級光罩
 2005
40 獨立式氮化鎵基板之研發
 2004
41 拉普拉司深層能階暫態頻譜量測砷化鎵與砷化鋁鎵
 2003
42 發光二極體接面溫度量測
 2003
43 氫化物氣相磊晶法成長氮化鎵 2001
44 電漿表面處理對n型氮化鎵歐姆接觸之影響 2001
45 大面積發光二極體之研究 2001
46 氮化鎵金屬-半導體-金屬光偵測器之研究 2001
47 以有機金屬氣相磊晶法成長氮砷化銦鎵之研究 2000
48 快速熱退火對AlInGaP紅光半導體雷射之影響 2000
49 以有機金屬氣相磊晶法成長銦砷化鎵量子點之研究 2000
50 以質子照射磷化銦鎵之缺陷研究 2000
51 GaNAs材料磊晶成長與AlAs濕氧化膜之研究 2000
52 以有機金屬化學氣相磊晶法成長氮化物藍光與綠光發光二極體 2000
53 以低壓有機金屬氣相磊晶法成長氮砷化鎵磊晶層 1999
54 以有機金屬氣相沈積法側向磊晶成長氮化鎵晶體之特性研究 1999
55 氮化鎵鈹鎂離子佈植之研究 1999
56 碲摻雜磷化銦鋁鎵材料的缺陷研究 1999
57 摻雜磷化鋁鎵銦之研究：材料成長及缺陷分析 1999
58 碲及鎂參雜磷化銦鋁材料之缺陷研究 1998
59 p 型氮化鎵金屬接觸之電性研究 1998
60 氧化阻擋層在濕氧化砷化鋁技術上的應用 1998
61 應力與高濃度摻雜對低溫分子束磊晶生長砷化鎵的砷析出過程之影響 1997
62 高功率電晶體之製作 1997
63 氮化鎵之緩衝層對其電性與深能階之影響 1997
64 碲摻雜磷化銦鋁之缺陷研究 1997
65 活性化離子蝕刻Ⅲ-Ⅴ化合物半導體 1996
66 氧化鋅變阻器之缺陷研究 1996
67 化合物半導體太陽電池之研究 1996
68 Reactive Ion Etch of Ⅲ-Ⅴ Compound Semiconductor 1996
69 高效率砷化鎵GaAs太陽電池之製作與理論模擬分析 1995
70 氮化鎵蕭基二極體電性研究 1995
71 氧化鋅變阻器之缺陷研究 1995
72 氮化鎵蕭基二極體電性與深能階暫態量測 1994
73 MOCVD 成長 GaAs 太陽電池研究 1994
74 磷砷化鎵蕭基二極體的深能階暫態量測 1994
75 玻璃相氧化鋅變阻器之缺陷研究 1994
76 MOCVD成長GaAs太陽電池研究 1994
77 以有機金屬氣相磊晶法研究磊晶基板偏角對磷化銦鎵/砷化鎵異質磊晶的影響 1993
78 太空用砷化鎵/鍺太陽電池之研究 --以原子層磊晶法生長非活性化砷化鎵/鍺介面 1993
79 氧化鋅變阻器及砷化鋁鎵的深能階暫態量測 1993
80 積體電路良率模式之修正與研究 1993
81 積體電路生產線上考慮缺陷群聚現象的製程管制圖 1993
82 在OMVPE系統中以流量調制法成長GaIn1-xP/GaAs異質薄膜 1992
83 有機金屬氣相磊晶系統之研究 1992
84 有機金屬氣相磊晶法成長GaP材料之研究 1992
85 有機金屬氣相磊晶法成長磷化銦鎵/砷化鎵異質薄膜 1992
86 Organometallic vapor phase epitaxy of Ga□In□ P/GaAs by flow rat modulation 1992
87 有機金屬氣相磊晶法成長GaP材料之研究 1992
理學院