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張翼

張翼 Chang, Edward Yi

電子郵件／E-mail：edc@mail.nctu.edu.tw

服務單位／Department：工學院 ／ 平面顯示技術碩士學位學程

著作期間／Publish Period：1990 - 2014-12-11

著作統計／Statistics

Article（97）
Others（2）
Patents（87）
Plan（47）
Proceedings Paper（23）
Thesis（218）

Article

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 GaN MIS-HEMTs With Nitrogen Passivation for Power Device Applications 2014-10-01
2 Effect of the Circle-Grid Electrodes on Concentrated GaAs Solar Cell Efficiency 2014-09-01
3 Direct growth of a 40 nm InAs thin film on a GaAs/Ge heterostructure by metalorganic chemical vapor deposition 2014-09-01
4 Effects of initial GaN growth mode on the material and electrical properties of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors 2014-09-01
5 Effects of threading dislocations on drain current dispersion and slow transients in unpassivated AlGaN/GaN/Si heterostructure field-effect transistors
 2014-08-18
6 Electrical Characteristics of n, p-In0.53Ga0.47As MOSCAPs With In Situ PEALD-AlN Interfacial Passivation Layer 2014-08-01
7 Efficiency improvement of InGaP/GaAs/Ge solar cells by hydrothermal-deposited ZnO nanotube structure
 2014-07-05
8 Gate Recessed Quasi-Normally OFF Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT With Low Threshold Voltage Hysteresis Using PEALD AlN Interfacial Passivation Layer
 2014-07-01
9 Performance Enhancement of Flip-Chip Packaged AlGaN/GaN HEMTs Using Active-Region Bumps-Induced Piezoelectric Effect
 2014-07-01
10 Material growth and device characterization of AlGaN/GaN single-heterostructure and AlGaN/GaN/AlGaN double-heterostructure field effect transistors on Si substrates
 2014-05-01
11 Low interface trap density Al2O3/In0.53Ga0.47As MOS capacitor fabricated on MOCVD-grown InGaAs epitaxial layer on Si substrate
 2014-04-01
12 Effect of annealing processes on the electrical properties of the atomic layer deposition Al2O3/In0.53Ga0.47As metal oxide semiconductor capacitors
 2014-04-01
13 Simulation study on electrical characteristic of AlGaN/GaN high electron mobility transistors with AlN spacer layer
 2014-04-01
14 The Effect of CdS QDs Structure on the InGaP/GaAs/Ge Triple Junction Solar Cell Efficiency 2014-03-01
15 Effects of layer sequence and postdeposition annealing temperature on performance of La2O3 and HfO2 multilayer composite oxides on In0.53Ga0.47As for MOS capacitor application
 2014-03-01
16 Investigation of the Flip-Chip Package With BCB Underfill for W-Band Applications
 2014-01-01
17 Ti/Al/Ti/Ni/Au ohmic contacts on AlGaN/GaN high electron mobility transistors with improved surface morphology and low contact resistance
 2014-01-01
18 Impact of Q-Time on the Passivation of Al2O3/p-In0.53Ga0.47As Interfaces Using Various Surface Treatments
 2014-01-01
19 Assessment of Thermal Impact on Performance of Metamorphic High-Electron-Mobility Transistors on Polymer Substrates Using Flip-Chip-on-Board Technology
 2013-12-01
20 Low resistance copper-based ohmic contact for AlGaN/GaN high electron mobility transistors
 2013-10-07
21 Electrical Characterization and Materials Stability Analysis of La2O3/HfO2 Composite Oxides on n-In0.53Ga0.47As MOS Capacitors With Different Annealing Temperatures
 2013-10-01
22 Demonstrating 1 nm-oxide-equivalent-thickness HfO2/InSb structure with unpinning Fermi level and low gate leakage current density
 2013-09-30
23 Growth of lattice-matched InAlN/GaN on Si (111) substrate for ultraviolet photodiode application 2013-09-01
24 Evaluation of TiN/Cu Gate Metal Scheme for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor Application
 2013-09-01
25 Coherent phonon manipulation in coupled mechanical resonators 2013-08-01
26 Investigation of Characteristics of Al2O3/n-In (x) Ga1-x As (x=0.53, 0.7, and 1) Metal-Oxide-Semiconductor Structures
 2013-08-01
27 Formation of a Multi-Arm Branched Nanorod of ZnO on the Si Surface via a Nanoseed-Induced Polytypic Crystal Growth Using the Hydrothermal Method 2013-07-01
28 Projected Efficiency of Polarization-Matched p-InxGa1-xN/i-InyGa1-yN/n-GaN Double Heterojunction Solar Cells
 2013-07-01
29 Band Alignment Parameters of Al2O3/InSb Metal-Oxide-Semiconductor Structure and Their Modification with Oxide Deposition Temperatures
 2013-06-01
30 Electrical Characteristics of Al2O3/InSb MOSCAPs and the Effect of Postdeposition Annealing Temperatures
 2013-05-01
31 Ge epitaxial films on GaAs (100), (110), and (111) substrates for applications of CMOS heterostructural integrations
 2013-03-01
32 Performance Evaluation of InGaSb/AlSb P-Channel High-Hole-Mobility Transistor Faricated Using BCl3 Dry Etching
 2013-02-01
33 Room temperature self-organized gold nanoparticles materials for embedded electronic devices
 2013-01-01
34 Microfluid on Chip Transesterification Reaction and Real-Time Monitor by PN Diode Photodetector 2012-12-01
35 Bias-Dependent Radio Frequency Performance for 40nm InAs High-Electron-Mobility Transistor with a Cutoff Frequency Higher than 600GHz
 2012-11-01
36 Influence of InGaP and AlGaAs Schottky Layers on ESD Robustness in GaAs pHEMTs
 2012-09-01
37 C-V characteristics of epitaxial germanium metal-oxide-semiconductor capacitor on GaAs substrate with ALD Al2O3 dielectric
 2012-09-01
38 Effect of Nitridation on the Regrowth Interface of AlGaN/GaN Structures Grown by Molecular Beam Epitaxy on GaN Templates
 2012-08-01
39 InGaP/GaAs Dual-Junction Solar Cell with AlGaAs/GaAs Tunnel Diode Grown on 10 degrees off Misoriented GaAs Substrate
 2012-08-01
40 Ti/Pt/Ti/Cu-Metallized Interconnects for GaN High-Electron-Mobility Transistors on Si Substrate
 2012-06-01
41 Effect of Gate Length on Device Performances of AlSb/InAs High Electron Mobility Transistors Fabricated Using BCl3 Dry Etching
 2012-06-01
42 Threading Dislocation Blocking in Metamorphic InGaAs/GaAs for Growing High-Quality In0.5Ga0.5As and In0.3Ga0.7As on GaAs Substrate by Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition
 2012-05-01
43 Design, Fabrication, and Reliability of Low-Cost Flip-Chip-On-Board Package for Commercial Applications up to 50 GHz
 2012-03-01
44 Effect of Graded AlxGa1-xN Layers on the Properties of GaN Grown on Patterned Si Substrates
 2012-02-01
45 Effect of Postdeposition Annealing Temperatures on Electrical Characteristics of Molecular-Beam-Deposited HfO2 on n-InAs/InGaAs Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors
 2012-02-01
46 V-Band Flip-Chip Assembled Gain Block Using In(0.6)Ga(0.4)As Metamorphic High-Electron-Mobility Transistor Technology 2011-10-01
47 Flip-Chip Packaging of Low-Noise Metamorphic High Electron Mobility Transistors on Low-Cost Organic Substrate
 2011-09-01
48 Dislocation reduction in GaN film using Ga-lean GaN buffer layer and migration enhanced epitaxy
 2011-07-29
49 High-Quality 1 eV In(0.3)Ga(0.7)As on GaAs Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition for Inverted Metamorphic Solar Cell Application 2011-07-01
50 High quality Ge thin film grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition on GaAs substrate
 2011-04-18
51 Effects of Wet Chemical and Trimethyl Aluminum Treatments on the Interface Properties in Atomic Layer Deposition of Al(2)O(3) on InAs 2010-11-01
52 Shape Effect of Silicon Nitride Subwavelength Structure on Reflectance for Silicon Solar Cells
 2010-10-01
53 Novel Metamorphic HEMTs With Highly Doped InGaAs Source/Drain Regions for High Frequency Applications
 2010-10-01
54 Finite element analysis of antireflective silicon nitride sub-wavelength structures for solar cell applications
 2010-10-01
55 Flip-Chip-Based Multichip Module for Low Phase-Noise V-Band Frequency Generation
 2010-09-01
56 Fabrication and Configuration Development of Silicon Nitride Sub-Wavelength Structures for Solar Cell Application 2010-09-01
57 Design of Flip-Chip Interconnect Using Epoxy-Based Underfill Up to V-Band Frequencies With Excellent Reliability
 2010-08-01
58 RF Performance Improvement of Metamorphic High-Electron Mobility Transistor Using (In(x)Ga(1-x)As)(m)/(InAs)(n) Superlattice-Channel Structure for Millimeter-Wave Applications 2010-07-01
59 Design and Fabrication of 0/1-Level RF-Via Interconnect for RF-MEMS Packaging Applications
 2010-02-01
60 30-GHz Low-Noise Performance of 100-nm-Gate-Recessed n-GaN/AlGaN/GaN HEMTs
 2010-02-01
61 Study of the inversion behaviors of Al(2)O(3)/In(x)Ga(1-x)As metal-oxide-semiconductor capacitors with different In contents 2010-01-01
62 Electrical Characterization and Transmission Electron Microscopy Assessment of Isolation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Oxygen Ion Implantation
 2010-01-01
63 The Roles of Threading Dislocations on Electrical Properties of AlGaN/GaN Heterostructure Grown by MBE
 2010-01-01
64 An Al(2)O(3) AlGaAs/InGaAs Metal-Oxide-Semiconductor PHEMT SPDT Switch with Low Control Currents for Wireless Communication Applications 2010-01-01
65 DC and RF Performance Improvement of 70 nm Quantum Well Field Effect Transistor by Narrowing Source-Drain Spacing Technology
 2010-01-01
66 An 80 nm In(0.7)Ga(0.3)As MHEMT with Flip-Chip Packaging for W-Band Low Noise Applications 2010-01-01
67 WSiN Cap Layer for Improvement of Ohmic Contact Morphology in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
 2009-11-01
68 460-nm InGaN-Based LEDs Grown on Fully Inclined Hemisphere-Shape-Patterned Sapphire Substrate With Submicrometer Spacing
 2009-10-01
69 Numerical calculation of the reflectance of sub-wavelength structures on silicon nitride for solar cell application
 2009-10-01
70 Design, Fabrication, and Characterization of Novel Vertical Coaxial Transitions for Flip-Chip Interconnects
 2009-05-01
71 The effect of AlN buffer growth parameters on the defect structure of GaN grown on sapphire by plasma-assisted molecular beam epitaxy
 2009-03-01
72 Changes of Electrical Characteristics for AlGaN/GaN HEMTs Under Uniaxial Tensile Strain
 2009-03-01
73 Application of Pd/Ge/Cu alloyed ohmic contact system to n-type GaAs for fully Cu-metallized InGaP/GaAs HBTs
 2009-02-01
74 InAs-Channel Metal-Oxide-Semiconductor HEMTs with Atomic-Layer-Deposited Al(2)O(3) Gate Dielectric 2009-01-01
75 A Novel Metamorphic High Electron Mobility Transistors with (In(x)Ga(1-x)As)(m)/(InAs)(n) Superlattice Channel Layer for Millimeter-Wave Applications 2009-01-01
76 AlGaAs/InGaAs high electron mobility transistor grown on Si substrate with Ge/Ge(x)Si(1-x) metamorphic buffer layers 2008-09-01
77 InAs high electron mobility transistors with buried gate for ultralow-power-consumption low-noise amplifier application
 2008-09-01
78 Novel Cu/Cr/Ge/Pd ohmic contacts on highly doped n-GaAs
 2008-06-01
79 Enhancement of the Schottky barrier height using a nitrogen-rich tungsten nitride thin film for the schottky contacts on AlGaN/GaN heterostructures
 2008-05-01
80 Metamorphic In(0.53)Ga(0.47)As Metal-Oxide-Semiconductor Structure on a GaAs Substrate with ZrO(2) High-k Dielectrics 2008-05-01
81 RF and logic performance improvement of In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3As composite-channel HEMT using gate-sinking technology
 2008-04-01
82 InAs channel-based quantum well transistors for high-speed and low-voltage digital applications 2008-01-01
83 A Cu-based alloyed ohmic contact system on n-type GaAs
 2007-12-03
84 60 GHz broadband Ms-to-CPW hot-via flip chip interconnects
 2007-11-01
85 Investigation of impact ionization in InAs-channel HEMT ford high-speed and low-power applications
 2007-10-01
86 A delta-doped InGaP/InGaAs pHEMT with different doping profiles for device-linearity improvement
 2007-07-01
87 Oxygen ion implantation isolation planar process for AlGaN/GaN HEMTs
 2007-06-01
88 High-performance In0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As power metamorphic high electron mobility transistor for Ka-band applications
 2007-06-01
89 InAlAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistor with Cu/Pt/Ti gate and Cu airbridges
 2007-05-01
90 High-speed GaAs metal gate semiconductor field effect transistor structure grown on a composite Ge/Ge(x)Si(1-x)/Si substrate
 2007-04-15
91 Fabrication of 0.15-mu m Gamma-shaped gate In0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As metamorphic HEMTs using DUV lithography and tilt dry-etching technique
 2007-02-01
92 Evaluation of RF and logic performance for 80 nm InAs/InGaAs composite channel HEMTs using gate sinking technology 2007-01-01
93 New Cu/Mo/Ge/Pd ohmic contacts on highly doped n-GaAs for InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors
 2006-12-01
94 Thermal stability of Ti/Pt/Cu Schottky contact on InAlAs layer
 2006-08-21
95 Electronic transport characteristics in a one-dimensional constriction defined by a triple-gate structure
 2006-08-15
96 Copper-airbridged low-noise GaAs PHEMT with Ti/WNx/Ti diffusion barrier for high-frequency applications
 2006-08-01
97 High-Efficiency AlGaAs/InGaAs/GaAs Pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistors Using a Sub-Micron Deep-UV T-Shaped Gate Technology 2000-01-01

Others

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 Coherent phonon manipulation in coupled mechanical resonators (vol 9, pg 480, 2013) 2013-09-01
2 Device linearity comparison of uniformly doped and delta-doped In0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As metamorphic HEMTs (vol 27, pg 535, 2006)
 2006-10-01

Patents

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 上橋驅動電路
 2014-12-11
2 增強型氮化鎵電晶體及其形成方法
 2014-12-01
3 具有高電子遷移率之氮化鎵電晶體結構
 2014-10-21
4 形成一Ｔ型閘極結構的方法
 2014-10-01
5 膝蓋防護系統
 2014-10-01
6 可供製造高電遷性電晶體之結構、包含此結構的元件及其之製造方法
 2014-07-21
7 閘極堆疊結構及包含其之金屬氧化物半導體元件及閘極堆疊結構之製造方法
 2014-06-16
8 適用於銅製程的半導體裝置
 2014-06-11
9 一種在三族氮化物磊晶過程中降低缺陷產生的方法
 2014-06-01
10 電流限制電路裝置
 2014-06-01
11 氮化鎵電晶體的製作方法
 2014-01-01
12 增強式高電子移動率電晶體及其製造方法
 2013-12-21
13 以光阻熱回流處理技術於半導體基板上形成圖形的方法
 2013-12-21
14 一種在矽晶片上成長之高載子遷移率電晶體結構及其方法
 2013-12-11
15 追日裝置
 2013-11-16
16 具自行車架外形之嵌入式工業控制器
 2013-11-16
17 具有氮化鎵層的多層結構基板及其製法
 2013-11-01
18 上橋式驅動電路
 2013-09-16
19 上橋驅動電路
 2013-09-16
20 電流限制電路裝置
 2013-09-16
21 高電子遷移率電晶體及其製作方法
 2013-08-01
22 具有高電子遷移率之氮化鎵電晶體結構
 2013-07-16
23 形成一Ｔ型閘極結構的方法
 2013-07-16
24 半導體元件及其製作方法
 2013-06-16
25 膝蓋防護系統
 2013-04-16
26 一種在矽晶片上成長之高載子遷移率電晶體結構及其方法
 2013-03-01
27 高分子基板之高頻覆晶封裝製程及其結構
 2013-02-21
28 適用於銅製程的半導體裝置
 2012-12-16
29 於半導體上沉積絕緣層的方法及於該沉積之前的表面處理方法
 2012-12-01
30 於矽晶片上形成太陽能電池之矽鍺層的方法
 2012-11-21
31 太陽エネルギ電池のＧｅｘＳｉ１－ｘ緩衝層をシリコンウェハ上に形成する方法。 2012-05-25
32 氮化鎵電晶體的製作方法
 2012-05-16
33 串接式之高電子遷移率電晶體元件及其製造方法
 2012-05-01
34 具有氮化鎵層的多層結構基板及其製法
 2012-05-01
35 酸化プラセオジムを備えた誘電体、酸化プラセオジムを備えたトランジスタ及びその製造方法 2012-04-19
36 具有氧化鐠之介電結構、具有氧化鐠之電晶體及其製造方法
 2012-04-16
37 垂直轉接結構
 2012-03-21
38 增強式高電子移動率電晶體及其製造方法
 2012-02-01
39 一種在三族氮化物磊晶過程中降低缺陷產生的方法
 2011-10-16
40 抗反射層、抗反射表面之製法、及其應用之光電轉換裝置
 2011-07-01
41 高電子遷移率電晶體及其製作方法
 2011-07-01
42 三五族半導體元件之歐姆接觸電極及其製造方法
 2011-05-01
43 OHMIC CONTACT OF III-V SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
 2011-04-21
44 可供製造高電遷性電晶體之結構、包含此結構的元件及其之製造方法
 2011-04-16
45 具有高氮含量氮化鎢蕭特基閘極接觸之ＨＥＭＴ氮化鎵電晶體及其製造方法
 2011-03-16
46 GaN HEMT with Nitrogen-Rich Tungsten Nitride Schottky Gate and Method of Forming the Same
 2011-03-10
47 高分子基板之高頻覆晶封裝製程及其結構
 2010-10-01
48 以光阻熱回流處理技術於半導體基板上形成圖形的方法
 2010-07-01
49 太陽エネルギ電池のＧｅｘＳｉ１－ｘ緩衝層をシリコンウェハ上に形成する方法。 2010-06-03
50 於矽晶片上形成太陽能電池之矽鍺層的方法
 2010-06-01
51 Method for forming a GexSi1-x buffer layer of solar-energy battery on a silicon wafer
 2010-05-27
52 一種形成半導體深次微米線寬結構的方法
 2010-01-01
53 垂直轉接結構
 2009-11-01
54 Vertical Transmission Structure
 2009-10-29
55 Fully Cu-metallized III-V group compound semiconductor device with palladium/germanium/copper ohmic contact system
 2009-08-06
56 Method for forming a semiconductor structure having nanometer line-width
 2008-10-16
57 一種形成半導體深次微米線寬結構的方法
 2008-06-16
58 化合物半導體元件之銅金屬化之歐姆接觸電極
 2007-12-11
59 化合物半導體元件之銅金屬化之歐姆接觸電極
 2007-07-16
60 Copper metalized ohmic contact electrode of compound device
 2007-07-12
61 具有防止源汲極區摻雜離子在接面區外擴散的電晶體結構及其製作方法
 2007-04-01
62 形成電子裝置閘極圖案之方法
 2007-04-01
63 Method for forming gate pattern for electronic device
 2007-03-22
64 三五族半導體元件的內連銅導線與其製造方法
 2007-03-01
65 INTERCONNECT OF GROUP III- V SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD FOR MAKING THE SAME
 2007-02-22
66 Cu-metalized compound semiconductor device
 2006-12-28
67 三五族半導體元件的內連銅導線與其製造方法
 2006-12-01
68 形成電子裝置閘極圖案之方法
 2006-11-01
69 具銅金屬化之複合物半導體元件
 2006-10-16
70 具有防止源汲極區摻雜離子在接面區外擴散的電晶體結構及其製作方法
 2006-08-21
71 具銅金屬化之複合物半導體元件
 2006-05-01
72 可調式準直器與具有此種可調式準直器之濺鍍設備
 2005-09-16
73 [ADJUSTABLE COLLIMATOR AND SPUTTERING APPARATUS WITH THE SAME]
 2005-09-08
74 Method of fabricating copper metallization on backside of gallium arsenide devices
 2005-04-21
75 可調式準直器與具有此種可調式準直器之濺鍍設備
 2005-03-21
76 在矽晶片上成長鍺薄膜之方法 2005-02-01
77 在矽鍺磊晶片上成長砷化鎵磊晶之方法 2005-02-01
78 砷化鎵元件背面銅金屬化之製作方法 2005-01-16
79 深次微米級T型閘極半體裝置之製造方法
 2005-01-11
80 Ⅲ-V族半導體元件的內連銅導線、銅空氣橋及其製作方法 2005-01-01
81 利用熱回流光阻技術製造奈米級閘極於半導體裝置中之方法 2004-11-16
82 砷化鎵元件背面銅金屬化之製作方法
 2004-10-21
83 在矽晶片上成長鍺薄膜之方法
 2004-09-11
84 在矽鍺磊晶片上成長砷化鎵磊晶之方法
 2004-09-11
85 利用熱回流光阻技術製造奈米級閘極於半導體裝置中之方法
 2004-01-01
86 一種在砷化鎵半導體上的蕭基（Schottky）結構
 2003-07-01
87 半導體製程之對準標記
 2003-04-11

Plan

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 矽基板上之高效率低成本InGaN/GaN多重量子井發光二極體 2014
2 跨國頂尖研究中心－國際頂尖異質整合綠色電子研究中心 (II) 2014
3 功率增益截止頻率高於100GHz之高頻氮化鋁/氮化鎵高電子遷移率電晶體技術開發與研究 2014
4 氮化鋁銦/氮化傢之綠能應用功率元件開發 2013
5 矽基板上之高效率低成本InGaN/GaN多重量子井發光二極體 2013
6 功率增益截止頻率高於100GHz之高頻氮化鋁/氮化鎵高電子遷移率電晶體技術開發與研究 2013
7 跨國頂尖研究中心---國際頂尖異質整合綠色電子研究中心(1/5) 2013
8 前瞻性銻化物異質材料場效電晶體及其高速低功率元件與可調式高頻電路應用之研究-子計畫五：高速與低耗能邏輯應用之銻化物N及P通道異質接面場效電晶體 2012
9 前瞻性銻化物異質材料場效電晶體及其高速低功率元件與可調式高頻電路應用之研究-總計畫 2012
10 Development of Alinn/Gan Power Device for Green Energy Applications 2012
11 軍用射頻關鍵元組件技術研究 2012
12 矽基板上之高效率低成本InGaN/GaN多重量子井發光二極體 2012
13 前瞻性銻化物異質材料場效電晶體及其高速低功率元件與可調式高頻電路應用之研究-總計畫 2011
14 新世代三五族金氧半電晶體元件 2011
15 Integration of 40 Nm Iii-V and Ge Quantum Well Fets on Si Substrate for Low-Power and High Speed Wireless Applications 2011
16 前瞻性銻化物異質材料場效電晶體及其高速低功率元件與可調式高頻電路應用之研究-子計畫五：高速與低耗能邏輯應用之銻化物N及P通道異質接面場效電晶體 2011
17 軍用射頻關鍵元組件技術開發 2011
18 前瞻性銻化物異質材料場效電晶體及其高速低功率元件與可調式高頻電路應用之研究---總計畫 2010
19 新世代三五族金氧半電晶體元件 2010
20 在矽基板整合40奈米三五族與鍺量子井場效電晶體作為低功率與高速無線之應用(II)
 2010
21 前瞻性銻化物異質材料場效電晶體及其高速低功率元件與可調式高頻電路應用之研究---子計畫五：高速與低耗能邏輯應用之銻化物N及P通道異質接面場效電晶體 2010
22 新世代三五族金氧半電晶體元件 2009
23 電流截止頻率大於500GHz之砷化銦通道高電子遷移率電晶體其製作與高速邏輯應用之評估 2009
24 在矽基板整合40奈米三五族與鍺量子井場效電晶體作為低功率與高速無線之應用(I) 2009
25 整合三五族超高電子遷移率量子電晶體結構於矽基板之研究 2008
26 超高效率III-V太陽能晶片之研究 2008
27 電流截止頻率大於500GHz之砷化銦通道高電子遷移率電晶體其製作與高速邏輯應用之評估 2008
28 高頻高功率氮化鎵微波元件技術研究
 2007
29 整合三五族超高電子遷移率量子電晶體結構於矽基板之研究 2007
30 前瞻電信微波科技發展計畫---子計畫五：前瞻性微波半導體元件與電路技術(IV)
 2007
31 前瞻電信微波科技發展計畫---子計畫五：前瞻性微波半導體元件與電路技術(III) 2006
32 以堆疊式pHEMT架構設計L頻段低雜訊放大器
 2005
33 前瞻電信微波科技發展計畫---子計畫五：前瞻性微波半導體元件與電路技術(II) 2005
34 利用雷射剝離法製作高導熱性氮化鎵微波高功率元件
 2005
35 III-V高頻通訊積體電路及覆晶系統構裝(SPN)新製程發展計畫(II)
 2004
36 前瞻電信微波科技發展計畫---子計畫五：前瞻性微波半導體元件與電路技術(I) 2004
37 應用在Ku波段之摻雜及非摻雜氮化鎵高功率微波元件之製作及高頻特性量測與比較(II) 2004
38 應用在Ku波段之摻雜及非摻雜氮化鎵高功率微波元件之製作及高頻特性量測與比較(I)
 2003
39 砷化鎵高頻元件銅金屬化研究及可靠性評估
 2003
40 應用在Ku波段之氮化鎵族化合物半導體之高功率電子元件製作及其高頻特性量測分析
 2002
41 氮化鎵族化合物半導體之高功率電子元件製作及其高頻特性量測分析
 2001
42 砷化鎵功率電晶體銅金屬化製程可行性之研究 2000
43 無線通訊用2.4V伏特砷化鎵高電子遷移率功率電晶體(Power HEMT)研發計畫
 2000
44 太空規格衛星發射器及接收器使用砷化鎵單晶微波積體電路之研製 1994
45 光電及微波元件技術發展---子計畫三：磊晶及薄膜材料成長 1994
46 以活性離子侵蝕法做GaAs閘侵蝕和孔洞侵蝕製程之研究 1993
47 砷化鎵單晶微波積體電路之研製 1993

Proceedings Paper

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 Studying of InSb MOS Capacitors for Post CMOS Application 2013-01-01
2 The Materials Integration of Ge and InxGa1-xAs on Si Template for Next Generation CMOS Applications
 2013-01-01
3 Fabrication of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) on Silicon Substrate with Slant Field Plates Using Deep-UV Lithography Featuring 5W/mm Power Density at X-band 2012-01-01
4 The integration of Ge and III-V materials on GaAs and Si for Post CMOS applications
 2012-01-01
5 High k/III-V Structures: Interfaces, Oxides Quality and Down Scaling 2012-01-01
6 Characterizations of GaN Films Grown on Si (111) Substrates with Various Growth Temperatures of Multiple AlN Buffer Layers 2012-01-01
7 Study of La2O3/HfO2 Gate Dielectric for n-InAs Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor
 2011-01-01
8 The Circle-grid Electrode on Concentrated GaAs Solar Cells Efficiency
 2011-01-01
9 Effect of Thermal Treatments on HfO2/In0.7Ga0.3As Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor Characteristics
 2010-01-01
10 Flip-Chip Packaging of In0.6Ga0.4As MHEMT Device on Low-Cost Organic Substrate for W-Band Applications
 2010-01-01
11 InAs-Channel High-Electron-Mobility Transistors for Ultralow-Power Low Noise Amplifier Applications
 2009-04-01
12 Design and Fabrication of Sub-Wavelength Structure on Silicon Nitride for Solar Cells 2009-01-01
13 A 40-nm-Gate InAs/In(0.7)Ga(0.3)As Composite-Channel HEMT with 2200 mS/mm and 500-GHz f(T)
 2009-01-01
14 Reflectance of Sub-Wavelength Structure on Silicon Nitride for Solar Cell Application 2009-01-01
15 Hybridization sensing by electrical enhancement with nanoparticles in nanogap
 2008-11-01
16 Evaluation of Electrical Characteristics of the Copper-Metallized SPDT GaAs Switches at Elevated Temperatures
 2008-09-01
17 Dependence of GaN Defect Structure on the Growth Temperature of the AlN Buffer Layer 2008-01-01
18 An AlGaAs/InGaAs HEMT Grown on Si Substrate with Ge/GexSi1-x Metamorphic Buffer Layers 2008-01-01
19 Evaluation of RF and Logic Performance for 40 nm InAs/InGaAs Composite Channel HEMTs for high-speed and low-voltage applications 2008-01-01
20 InAs/In(1-x)Ga(x)As Composite Channel High Electron Mobility Transistors for High Speed Applications
 2008-01-01
21 Investigation of Impact Ionization from In(x)Ga(1-x)As to InAs Channel HEMTs for High Speed and Low Power Applications 2008-01-01
22 High-performance In0.52Al0.48As/In(0.6)Ga(0.)4As power metamorphic HEMT for Ka-band applications
 2006-01-01
23 On the doping effects for linearity improvement of InGaP/InGaAs PHEMT 2005-01-01

Thesis

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 利用場效電板改善氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體高功率元件特性與可靠性之研究 2014
2 以氧化鑭/氧化鉿堆疊式氧化層作為高功率氮化鎵高電子遷移率電晶體之閘極氧化層研究 2014
3 藉共平面波導探討矽基三族氮化物於射頻下傳輸線損耗之研究 2014
4 1奈米等效厚度之氧化鑭與氧化鉿複合氧化物材料在砷化銦鎵金氧半元件之研究 2014
5 以超高真空化學氣相沉積系統成長鍺磊晶層於磷化銦鎵/砷化鎵基板之研究
 2014
6 磷化銦鎵/砷化鎵/鍺三接面太陽能電池效率提升之研究 2014
7 高功率氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之金屬接觸製程研究 2013
8 利用氧化鋁/氮化矽保護層製作高功率氮化鋁鎵/氮化鎵蕭基二極體 2013
9 磷化銦鎵/砷化銦鎵/鍺三接面聚光型太陽能電池之全銅金屬製程之研究 2013
10 The study of high-k/III-V MOS capacitor 2013
11 Reducing Leakage Current and Suppressing Current Slump of Si3N4 AlGaN/GaN MISHEMTs by Insertion of AlN Interfacial Passivation Layer 2013
12 磊晶成長高阻值氮化鎵緩衝層在矽(111)基板 2013
13 利用有機金屬化學氣相沉積法 研究砷化鎵於矽基板上成核成長之技術
 2013
14 <利用有機金屬化學氣相沉積法直接成長砷化銦/砷化鎵異質結構於鍺基板> 2013
15 三五族量子井金屬氧化物半導體場效電晶體相關於晶向在低功率高頻的應用 2013
16 假型高電子遷移率場效電晶體之模擬研究 2013
17 先進砷化銦量子井金氧半場效電晶體：元件能隙工程與遲滯效應
 2013
18 利用氧化鋁/氧化氮堆疊當介電層的方式製作出可改善起始電壓穩定性的增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體 2013
19 利用氮化鋁/氮化矽作為閘極介電質及鈍化層之低電流崩潰氮化鎵金屬絕緣層半導體高速電子遷移率電晶體 2013
20 以有機金屬化學氣相沉積於碳化矽基板上成長氮化鋁鎵/氮化鎵異質結構之高電子遷移率電晶體的應用 2013
21 氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之小訊號及大訊號模型 2013
22 藉由高介電質材料做表面鈍化及閘極絕緣層改善氮化鋁鎵/氮化鎵之高電子遷移率電晶體元件特性 2013
23 利用有機化學氣相沉積法和非線性漸變緩衝層成長砷化銦鎵在砷化鎵基板上以及錯位應變和緩衝平台之研究 2013
24 利用漸變氮化矽結合次波長結構應用在三五族三接面太陽能電池上之全波段抗反射層研究 2013
25 砷化銦通道之高電子遷移率空乏型與增強型之高頻與邏輯數位之元件特性研究 2013
26 應用於毫微米波段高電子遷移率電晶體之覆晶封裝研究
 2013
27 矽晶圓之晶背研磨廢水處理及回收再利用評估 2013
28 研磨墊性質對銅化學機械研磨製程的影響 2013
29 表面修飾金與金奈米粒子之新穎記憶體與生物元件 2012
30 以超高真空化學汽相沉積系統成長鍺磊晶層於砷化鎵基板於高速電洞元件及互補性氧化金屬半導體之應用及研究 2012
31 超高頻(40.68 MHz)電漿輔助化學氣相沉積異質接面太陽能電池於後製程快速退火與後氫電漿處理效率改善之研究
 2012
32 廠務外包作業管理及安全危害分析 -以晶圓廠氣化供應系統外包為例 2012
33 提昇TFT-LCD 廠去光阻劑回收效益 2012
34 矽甲烷槽車供應安全評估
 2012
35 太陽能光電廠設備機台防火防爆安全管理-以SiH4製程系統為例 2012
36 利用有機化學氣相沉積法成長高品質砷化銦鎵在砷化鎵基板上以及材料成長機制研究和其在 金氧半電容器之應用 2012
37 金屬有機化學氣相沉積成長氮化銦鎵與氮化銦鋁合金在矽基板上用於光伏技術應用 2012
38 高科技設備搬運及運送安全風險評估 2012
39 雙異質接面假晶 磷化銦/砷化鎵銦/磷化銦P通道量子井場效電晶體對三五族互補電路的研究與應用 2012
40 探討低溫氮化鋁鎵插入層對成長厚氮化鎵在矽基板上之影響 2012
41 The Study of High-k Composite Dielectric for InGaAs MOS Device Applications 2012
42 以熱裂解化學沉積法成長碳化矽薄膜之研究 2012
43 成長磷化銦鎵材料於砷化鎵及鍺/矽基板上對三五族太陽能電池應用之研究 2012
44 利用有機金屬化學氣相沉積成長高功率氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體結構於藍寶石基板 2012
45 以傾斜型閘極改善氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之崩潰電壓及可靠性 2012
46 氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體無金金屬化製程之研究 2012
47 以有機金屬化學氣相沉積成長氮化銦鋁/氮化鋁/氮化鎵異質結構之高電子遷移率電晶體的應用 2012
48 低表面粗糙度與低接觸電阻之氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體歐姆接觸電極之開發與機制研究 2012
49 利用傾斜式陽極製作高功率氮化鋁鎵氮化鎵蕭基二極體 2012
50 高頻與低功率應用之銻化物N型及P型通道異質接面 2012
51 於矽(111)基板上成長應用在高電壓之氮化鋁鎵/氮化鎵/氮化鋁鎵雙異質接面場效電晶體元件之研究 2012
52 利用感應耦合式電漿蝕刻系統製作砷化鎵之背面導通孔接地 2012
53 在矽基板上成長低溫鍺以及微米圖形以做為高品質砷化鎵薄膜之磊晶模板 2012
54 銅腐蝕抑制劑對銅保護機制在化學機械研磨之研究 2012
55 半導體產業採激勵性模式提升環安衛成效探討 2012
56 降低高工化工科學生化學實驗室意外事故有效性之研究 2012
57 化學液槽車灌裝風險及最佳化對策研究 - 以半導體廠例
 2011
58 應用在金氧半電晶體之原子層沉積氧化鋁與砷化銦鎵、砷化銦介面之研究
 2011
59 偏角度基板對穿隧層之效應與成長砷化鎵於鍺/矽基板上對低成本高效率多接面三五族太陽電池之應用 2011
60 TFT-LCD(薄膜電晶體液晶顯示器)設備機台危害風險評估與改善 2011
61 以原子層磊晶技術在有機金屬氣相化學沉積機台成長砷化鎵於鍺基板上之研究 2011
62 磊晶成長高品質鍺薄膜於砷化鎵基板之研究 2011
63 以自行研發之有機金屬化學氣相沉積系統成長發光二極體之磊晶結構 2011
64 氮化鎵元件之歐姆與蕭基接觸的銅製程材料研究 2011
65 氮化鎵高電子遷移率電晶體之銅金屬化導線製程
 2011
66 藉由兩階段矽鍺緩衝層以成長鍺磊晶層於矽基板上之研究
 2011
67 氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之銅金屬化製程研究 2011
68 研究藉由多閘極製程改善成長於矽基板上之氮化鋁鎵/氮化鎵高速電子遷移率電晶體元件之線性度
 2011
69 Study of AlGaN/GaN MOS-HEMTs on Silicon Substrate with Al2O3 Gate Insulator for Device Linearity Improvement
 2011
70 使用變溫砷介面層以成長砷化鎵磊晶層於鍺/矽基板上對三五族太陽能電池之應用 2011
71 Improve the Precision of Film Deposition by Shadow Mask 2011
72 氮化鎵發光二極體光取出效率提升的研究
 2011
73 以深紫外光微影製作具傾斜型電場板之氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體 2011
74 高頻高功率應用之氮化鎵系列半導體
 2010
75 半導體從業人員肌肉骨骼症狀調查 2010
76 偏光廠揮發性有機氣體尾氣處理改善研究 2010
77 高壓積體電路之可靠性驗證與改良
 2010
78 毫微米波段覆晶封裝技術之研究與應用 2010
79 以電漿輔助式分子束磊晶成長應用於高電子遷移率電晶體之氮化鋁鎵/氮化鎵異質結構
 2010
80 風險評估技術應用於變更管理改善之研究—以某公司加氣站為例 2010
81 承商進廠作業安全管理機制探討-以某TFT-LCD廠為例 2010
82 合金電鍍製作錫銀焊料凸塊於覆晶接合技術的應用 2010
83 配向膜離子電荷殘留降低對顯示器之殘像研究 2010
84 具有高介電質閘極氧化層(二氧化鉿、氧化鑭)之三五族金氧半電容其電性提升之研究
 2010
85 高介電值氧化物應用於三五族半導體金氧半元件之研究
 2010
86 砷化銦鎵元件覆晶封裝於低成本有機基板(RO 3210)之W-band應用 2010
87 磁性FePt薄膜MIM結構的崩潰電壓之特性 2010
88 高頻及高功率應用之氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之研究 2009
89 超低功率之高頻砷化銦通道高電子遷移率電晶體之研究 2009
90 針對半導體製程金屬層良率提昇研究
 2009
91 以低壓有機金屬化學氣相沉積於矽基板上成長氮化鎵磊晶薄膜 2009
92 企業營運持續管理之災後復原成功因素探討 2009
93 保溫材鈣金屬污染對閘極氧化層的影響之影響及防治
 2009
94 高科技廠土壤及地下水污染風險預防管理及控制
 2009
95 微型加熱器設計與熱管理改善應用於射頻功率元件之覆晶構裝結構 2009
96 使用自動對準閘極技術以提升六十奈米砷化銦通道量子井場效電晶體的直流與高頻特性
 2009
97 利用閘極掘入方式製作增強型高截止電壓氮化鋁鎵/氮化鎵/氮化鋁鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體之研究
 2009
98 結合高介電質材料與三五族半導體之金氧半電容研究
 2009
99 Solder Bump製程應用在Wafer Level CSP RDL結構可靠度提升 Study
 2009
100 利用氟離子電漿處理製作出高效能增強型氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體 2009
101 製作氮化矽次波長結構應用於太陽電池之抗反射層 2009
102 多孔矽基板在抗反射層應用之研究
 2009
103 利用有機金屬化學氣相沉積法及漸變的氮化鋁鎵緩衝層於圖案化矽(111)基板上成長氮化鎵磊晶薄膜之研究 2009
104 DRAM產品晶背矽基材裸露問題改善之探討 2009
105 多晶矽熔線熔斷條件分析研究 2009
106 銅金屬化製程及閘極介電層於低成本、低功率損耗AlGaAs/InGaAs假晶高電子遷移率電晶體單刀雙擲開關之應用 2009
107 用於太陽電池之氮化矽次波長抗反射結構設計與樣品試製
 2009
108 微波功率元件應用含場效電極板之氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之製作與線性度分析 2009
109 The Special Gas Monitor Improvement in the Semiconductor CVD Utility Area 2009
110 AlGaN/GaN高電子遷移率電晶體(HEMTs)直流電性測試
 2008
111 利用次微米級圖形化藍寶石基板製作氮化銦鎵-氮化鎵發光二極體之研究 2008
112 磷化銦鎵高電子遷移率電晶體暨砷化銦鎵金氧半高電子遷移率電晶體於高頻與數位應用之探討
 2008
113 應用鈀/鍺/銅歐姆接觸至砷化銦鎵之全面銅金屬化磷化銦鎵/砷化鎵異質接面雙載子電晶體
 2008
114 利用低成本高分子基板結合覆晶封裝技術之高頻及機械特性之探討
 2008
115 影像感測元件暗電流與晶圓製程及原材晶圓製程間關係之研究 2008
116 超低能量離子植入之能量污染控制 2008
117 利用濕式蝕刻法對太陽能電池織質化表面與黑色奈米級織質化表面之比較 2008
118 銅金屬化之磷化銦鎵/砷化鎵異質接面雙載子電晶體製作及其特性量測 2008
119 超大型積體電路製程之側壁間隔物蝕刻之改善 2008
120 高速與低偏壓砷化銦通道量子井場效電晶體在高頻及邏輯應用之研究
 2008
121 使用高分子基材建立一電容式超音波換能器 2008
122 半導體業高空作業工法與決策分析之研究 2008
123 危害分析應用於製程持續改善之研究 －以高科技產業矽甲烷混合氣供應系統為例 2008
124 彩色濾光片之先進製程與缺陷改善
 2008
125 旋轉塗佈硬質罩幕材料與製程表現之研究 2008
126 MIM電容結構下電極材料特性與漏電流關係之研究 2008
127 高速與低功率邏輯應用之砷化銦鋁/砷化銦鎵變異結構高電子移動率電晶體之研究
 2007
128 增強型磷化銦鎵/砷化鋁鎵/砷化銦鎵假晶高電子遷移率電晶體之研究
 2007
129 底膠填充於金對金覆晶接合高頻元件封裝可靠度影響之研究
 2007
130 應用在無線通訊的假型高電子遷移率電晶體(PHEMT)之線性度的研究與改善
 2007
131 半導體鋁銅製程金屬導線缺陷改善及晶圓邊緣良率提升研究
 2007
132 晶片式Solar cell廠(大產量)機台危害風險之研究以建立PECVD查核表為例
 2007
133 高科技半導體廠房附屬餐飲設施安全系統建置及研究 2007
134 TFT-LCD 廠離子植入機機台維修保養危害風險分析及資料庫建置與應用研究 2007
135 磷化銦晶圓後段製程之孔洞蝕刻製程研究
 2007
136 應用於高頻低雜訊具有砷化銦鎵/砷化銦 超晶格通道之變質型高速電子遷移率電晶體(MHEMT)之研究
 2007
137 高頻覆晶連接線之研究 2007
138 離子植入機之極早期火警偵系統有效性評估 2007
139 晶圓廠遷移施工程序及安全管理 2007
140 高科技廠房本質較安全設計策略應用可行性研究-建置本質較安全應用機制
 2007
141 智慧型安全防災監控系統(LMS)-以緊急應變中心(ERC)應用為例 2007
142 以有機金屬化學氣相沉積法成長磷化銦鎵及砷化鎵異質接面雙載子電晶體之銅金屬化研究
 2006
143 高科技廠無塵室機台防爆電氣設置評估之研究 2006
144 以平衡計分卡理念建立安全衛生管理績效指標
 2006
145 鎢金屬蝕刻製程中以C3F8取代SF6達到PFC減量之研究
 2006
146 FMEA應用於降低廠務監控系統運轉風險之探討 - 以半導體廠氣體化學系統為例 2006
147 整合性管理系統之建置研究-以氣體公司之管理系統整合推行為例 2006
148 高頻元件之金凸塊覆晶製程接合最佳化參數研究 2006
149 新型EWMA變動折扣因子控制器及其於半導體微影製程實際應用之研究
 2006
150 在InAlP/InGaAs 假晶式高電子遷移率電晶體結構之蕭基金屬接觸之研究
 2006
151 使用I-line stepper 開發 Low cost 及可大量生產之0.25 um gate pHEMT
 2006
152 高功率發光二極體之封裝研究 2006
153 利用SF6/O2電漿對氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體閘極掘入區域進行後處理之探討
 2006
154 使用BCB及LCP作為高頻覆晶封裝底膠填充的材料 2006
155 規則化量子點成長及一維量子傳輸之研究
 2006
156 三五族磊晶材料整合於矽基板上做為高速電子元件跟光電元件應用的研究
 2006
157 高頻應用之砷化銦鋁/砷化銦鎵變異結構高電子移動率電晶體之研究
 2006
158 乾膜光阻應用在高頻覆晶凸塊製程之研究
 2005
159 應用在低雜訊InAlAs/InGaAs變異型高電子遷移率電晶體之前端銅金屬化製程
 2005
160 應用在無線通訊之低雜訊磷化銦鎵/砷化銦鎵假晶式高電子遷移率電晶體的高線性度之研究發展
 2005
161 氯氣氣瓶櫃洩漏危害分析與改善研究 2005
162 半導體廠承攬商電子化管理系統建置之研究
 2005
163 應用在無線通訊的低雜訊高電子遷移率電晶體之線性度的研究與改善
 2005
164 砷化鎵及磷化銦異質接面雙載子電晶體之銅金屬化製程研究
 2005
165 應用同軸式垂直轉接於高頻覆晶傳導線之設計及量測 2005
166 應用鈀/鍺/銅歐姆接觸至全面銅金屬化之磷化銦鎵/砷化鎵異質接面雙載子電晶體
 2005
167 砷化鎵高速元件積體電路之金屬鑲嵌銅製程
 2004
168 導入日本安全衛生管理制度對（某電腦週邊產業）安衛實務影響之研究 2004
169 光電廠廢溶劑回收系統應用及系統改善 2004
170 TFT LCD產業-製程設備裝移機安全及潛在風險之研究
 2004
171 利用一新穎位移曝光技術所製造之0.1 μm Г形閘極AlGaAs/InGaAs 高電子遷移率功率電晶體
 2004
172 40 GHz共平面波導對共平面波導熱導孔高頻轉接之研究 2004
173 使用I-line步進機與電子束微影並應用在MHEMT元件的新穎T-形閘極製作方法之研究
 2004
174 在矽基板上成長矽鍺、砷化鎵及硒化鋅異質結構之研究
 2004
175 砷化鎵低噪音假晶高電子遷移率電晶體之銅金屬化導線製程
 2003
176 High RF Performance GaAs Metamorphic HEMTs with 90 nm Sidewall Gate
 2003
177 以白金為銅之擴散阻障層製作全面銅金屬化之磷化銦異質接面雙極電晶體及其特性量測 2003
178 多重能量氧離子佈植絕緣氮化鎵/氮化鋁鎵高電子遷移率異質接面場效電晶體
 2003
179 鈀/鍺/鉬(鉻)/銅歐姆接觸應用在磷化銦鎵/砷化鎵異質接面雙載子電晶體
 2003
180 砷化鎵/磷化銦鎵異質結構介面的LP-MOCVD成長與研究及其在蝕刻阻障層的應用
 2003
181 光輔助化學蝕刻製程使用於氮化鎵材料的研究
 2003
182 高溫適用之氮化鎢T型閘極氮化鋁鎵/氮化鎵高速電晶體之製程開發與材料分析
 2003
183 數位無線通訊系統應用之低電壓高功率砷化鎵場效電晶體研究 2002
184 半導體機台設備維護保養時之局部排氣改善研究 2002
185 砷化鎵磊晶製程砷暴露危害預防與員工健康指標研究 2002
186 半導體廠員工之砷暴露健康風險管理研究 2002
187 利用風險評估方法建立半導體機台PM SOP可行性研究 2002
188 高崩潰電壓磷化銦鎵通道場效電晶體之研發 2001
189 氧離子佈植應用在氮化鎵高電子遷移率電晶體隔離技術之探討 2001
190 高頻砷化鎵元件應用之覆晶構裝發展 2001
191 有序-無序型磷化銦鎵材料對異質接面雙載子電晶體元件特性之影響 2001
192 使用氮化鎢閘極之氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之高溫應用 2001
193 結合光輔助濕式蝕刻和誘發耦合電漿蝕刻應用於氮化鎵之研究 2000
194 應用在砷化鎵單質微波積體電路上各種不同的連接線製程之研究 2000
195 鈦鎢氮化物和鎢氮化物在n-型氮化鎵半導體上蕭特基接觸之研究 2000
196 以I-line相位移光罩微影成像技術作次微米T型閘的研究 2000
197 以雙離子佈植方式製作應用於無線通訊之平面閘極砷化鎵功率場效電晶體 1998
198 應用於低電壓無線通訊之假晶砷化鋁鎵/砷化銦鎵功率高電子遷移率電晶體之研究 1998
199 應用於無線電通訊之低操作電壓砷化鎵功率金屬半導體場效電晶體之研究 1997
200 砷化鎵功率金屬半導體場效電晶體之次微米閘極簡易製程方法 1997
201 應用於低電壓無線通訊之高效率砷化鎵功率金屬半導體場效電晶體之研究 1996
202 應用於無線通訊上的平面摻雜假晶功率高電子遷移率電晶體之研究 1996
203 具有光化學氣相沈積及電漿加強化學氣相沈積氮化矽保護層之砷化鎵功率金屬半導體場效電晶體之研究 1996
204 使用高能量氦、硼及氧離子佈植於砷化鎵/砷化鋁鎵/硼化鎵磊晶層結構之絕緣性質研究 1996
205 應用於低電壓無線通訊之離子佈植砷化鎵功率金屬半導體場效電晶體之研究 1995
206 以草酸溶液作MESFET AlAs/GaAs 磊晶選擇性侵蝕的研究 1995
207 具有雙 攙雜通道的假晶砷化鋁鎵/砷化銦鎵功率高電子遷移率電晶體之研究 1994
208 磷化銦活性離子蝕刻之研究及其接地洞之應用 1993
209 金屬/N型氮化鎵歐姆電性接點及氮化鎵材料的反應性離子蝕刻之研究 1993
210 以有機金屬氣相磊晶成長法成長磷化銦鎵及其在異質接面場效電晶體上之應用 1993
211 以鈦鎢氮化物做矽離子佈植砷化鎵退火保護 1992
212 新型SOG的特性及其在次微米平坦化技術的應用 1992
213 以反應性離子蝕刻法研究砷化鎵及砷化鋁鎵之選擇性侵蝕 1992
214 以深紫外光微影成像技術作次微米閘的研究 1992
215 鎢矽氮化物和鈦鎢矽化物在砷化鎵上蕭基接觸之研究 1991
216 以低壓有機金屬化學氣相沈積法成長之磷化鎵錮蕭特基接觸之研究 1991
217 鎳基自熔合金熔射塗層燒結製程研究 1991
218 鈦鎢氮化物和鈦鎢矽化物在砷化鎵上蕭基接觸之研究 1990
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