1. 目前位置：
吳耀銓

吳耀銓 Wu, YewChung Sermon

電子郵件／E-mail：sermonwu@faculty.nctu.edu.tw

服務單位／Department：工學院 ／ 半導體材料與製程設備組

著作期間／Publish Period：2000 - 2014-10-01

著作統計／Statistics

Article（37）
Books（1）
Patents（19）
Plan（23）
Proceedings Paper（9）
Thesis（91）

Article

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 Morphologies and plane indices of pyramid patterns on wet-etched patterned sapphire substrate
 2014-03-01
2 The Formation of Smooth Facets on Wet-Etched Patterned Sapphire Substrate
 2014-01-01
3 Crystal Quality and Light Output Power of GaN-Based LEDs Grown on Nanoporous Patterned Sapphire Substrate
 2014-01-01
4 Reduced Residual Stress and Enhanced Performance of GaN-Based LEDs Prepared by Liquid Phase Deposition Silicon Oxide-Nano Patterned Sapphire Substrate 2014-01-01
5 Effect of nickel concentration on source/drain series resistance and channel resistance of Ni-metal-induced crystallization thin-film transistors
 2013-10-01
6 Evolution of Bottom c-Plane on Wet-Etched Patterned Sapphire Substrate
 2013-01-01
7 Enhanced performance and reliability of NILC-TFTs using FSG buffer layer
 2012-02-15
8 Effect of Nickel Concentration on Bias Reliability and Thermal Stability of Thin-Film Transistors Fabricated by Ni-Metal-Induced Crystallization
 2012-01-01
9 The Formation and the Plane Indices of Etched Facets of Wet Etching Patterned Sapphire Substrate
 2012-01-01
10 Semipolar GaN Films on Prism Stripe Patterned a-Plane Sapphire Substrates
 2012-01-01
11 Investigation of GaN Films Grown on Liquid-Phase Deposited SiO2 Nanopatterned Sapphire Substrates
 2012-01-01
12 Enhanced Performance of LEDs Using Periodic Tent-Like Post Patterns on A-plane Sapphire Substrates
 2011-12-01
13 Reduced leakage current of nickel induced crystallization poly-Si TFTs by a simple chemical oxide layer
 2011-10-01
14 Improved Electrical Performance and Reliability of Poly-Si TFTs Fabricated by Drive-In Nickel-Induced Crystallization with Chemical Oxide Layer
 2011-06-01
15 Effect of Ni residues on the performance and the uniformity of nickel-induced lateral crystallization polycrystalline silicon nanowire thin-film transistors
 2010-11-01
16 Improved crystal quality and performance of GaN-based light-emitting diodes by decreasing the slanted angle of patterned sapphire
 2010-02-01
17 Using Phosphorus-Doped alpha-Si Gettering Layers to Improve NILC Poly-Si TFT Performance
 2010-02-01
18 Effect of CF(4) Plasma on Properties and Reliability of Metal-Induced Lateral Crystallization Silicon Transistors 2010-01-01
19 Output Power of AlGaInP Light Emitting Diode Improved by Double Roughening AlGaInP Surfaces 2010-01-01
20 InGaN-GaN Light Emitting Diode Performance Improved by Roughening Indium Tin Oxide Window Layer via Natural Lithography 2010-01-01
21 Improved Electrical Performance and Uniformity of MILC Poly-Si TFTs Manufactured Using Drive-In Nickel-Induced Lateral Crystallization
 2009-11-01
22 Resonant X-Ray Scattering and Absorption for the Global and Local Structures of Cu-modified Metallothioneins in Solution
 2009-07-22
23 Improved Electrical Performance of MILC Poly-Si TFTs Using CF(4) Plasma by Etching Surface of Channel 2009-02-01
24 Effects of Laser Sources on Damage Mechanisms and Reverse-Bias Leakages of Laser Lift-Off GaN-Based LEDs
 2009-01-01
25 Enhanced Extraction and Efficiency of Blue Light-Emitting Diodes Prepared Using Two-Step-Etched Patterned Sapphire Substrates
 2009-01-01
26 Gettering of Ni from Nickel-Induced Lateral Crystallization Silicon Using Amorphous Silicon and Chemical Oxide 2009-01-01
27 Improved Performance of InGaN-GaN Light-Emitting Diode by a Periodic n-Bowl Mirror Array 2009-01-01
28 Improved uniformity and electrical performance of continuous-wave laser-crystallized TFTs using metal-induced laterally crystallized si film
 2008-11-01
29 Gettering of nickel within the Ni-metal induced lateral crystallization polycrystalline silicon film through the contact holes
 2007-12-01
30 Improving the electrical properties of NILC poly-Si films using a gettering substrate
 2007-11-01
31 Improved electrical characteristics and reliability of MILC poly-Si TFTs using fluorine-ion implantation
 2007-11-01
32 Effects of laser sources on the reverse-bias leakages of laser lift-off GaN-based light-emitting diodes
 2007-06-18
33 Effect of the silver mirror location on the luminance intensity of double-roughened GaN light-emitting diodes 2007-01-01
34 Gettering of Ni from Ni-metal induced lateral crystallization polycrystalline silicon films using a gettering substrate
 2006-09-01
35 Effects of oxygen in Ni films on Ni-induced lateral crystallization of amorphous silicon films at various temperatures
 2006-09-01
36 Thermal annealing effect between Ni film and Mg-doped GaN layer
 2006-08-01
37 Performances of Ni-induced lateral crystallization thin film transistors with (111) and (112) needle grains
 2006-07-01

Books

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 國立交通大學材料科學與工程學系吳耀銓教師升等送審資料論文集 2007

Patents

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 利用離子佈植形成金屬誘發結晶的製作方法
 2014-10-01
2 半導體製程方法
 2014-07-21
3 散熱基板與其製作方法
 2013-10-16
4 利用電漿改善金屬誘發側向結晶層特性的方法
 2013-02-01
5 半導體製程方法
 2013-01-01
6 半導體製程方法
 2012-09-16
7 利用離子佈植形成金屬誘發結晶的製作方法
 2010-08-01
8 利用電漿改善金屬誘發側向結晶層特性的方法
 2010-08-01
9 轉移側向覆蓋生長磊晶層之方法
 2008-09-01
10 半導體裝置之製造方法
 2008-08-11
11 半導體裝置及其製造方法
 2007-12-01
12 Selective area growth carbon nanotubes by metal imprint method
 2007-02-01
13 利用晶體成長過濾基板而進行鎳誘發非晶矽結晶
 2006-11-21
14 利用晶體成長過濾基板而進行鎳誘發非晶矽結晶
 2006-09-01
15 利用晶圓接合方式剝離無遮罩層懸浮生長之氮化鎵磊晶層製造方法
 2005-06-01
16 利用晶圓接合方式剝離無遮罩層懸浮生長之氮化鎵磊晶層製造方法
 2005-06-01
17 Selective area growth carbon nanotubes by metal imprint method
 2005-04-07
18 應用金屬壓印方式來進行奈米碳管擇區生長之方法及其產生之結構 2004-09-16
19 應用金屬壓印方式來進行奈米碳管擇區生長之方法及其產生之結構
 2004-06-11

Plan

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 藉著晶圓接合從藍寶石基板上剝離氮化鎵發光二極體 2014
2 利用鑽石矽複合基板以製作高散熱的高功率發光二極體 2014
3 藉著晶圓接合從藍寶石基板上剝離氮化鎵發光二極體 2013
4 利用鑽石矽複合基板以製作高散熱的高功率發光二極體 2013
5 利用鑽石矽複合基板以製作高散熱的高功率發光二極體 2012
6 藉著晶圓接合從藍寶石基板上剝離氮化鎵發光二極體 2012
7 將發光二極體轉移到鑽石基板與高散熱基座以製作高散熱的高功率發光二極體 2011
8 將發光二極體轉移到鑽石基板與高散熱基座以製作高散熱的高功率發光二極體 2010
9 將發光二極體轉移到鑽石基板與高散熱基座以製作高散熱的高功率發光二極體 2009
10 銅基板之切割-運用在高功率發光二極體上的銅基板切割 2008
11 銅基板之切割---運用在高功率發光二極體上的銅基板切割 2007
12 將發光二極體結構轉移到銅基材以製作高功率發光二極體(III) 2007
13 將發光二極體結構轉移到銅基材以製作高功率發光二極體(II) 2006
14 銅基板之切割-運用在高功率發光二極體上的銅基板切割 2006
15 將發光二極體結構轉移到銅基材以製作高功率發光二極體(I)
 2005
16 光資訊關鍵性材料製程與性質研究---子計畫五:用晶圓接合與溼式蝕刻方式來剝離側向覆蓋生長之氮化鎵磊晶層(III)
 2004
17 利用金屬壓印技術製作低溫複晶矽薄膜電晶體及擇區奈米碳管(II)
 2004
18 利用金屬壓印技術製作低溫複晶矽薄膜電晶體及擇區奈米碳管(I)
 2003
19 光資訊關鍵性材料製程與性質研究---子計畫V：用晶圓接合與溼式蝕刻方式來剝離側向覆蓋生長之氮化鎵磊晶層(II)
 2003
20 用晶圓接合來剝離懸空側向成長的氮化鎵磊晶層 2002
21 光資訊關鍵性材料製程與性質研究---子計畫V：用晶圓接合與溼式蝕刻方式來剝離側向覆蓋生長之氮化鎵磊晶層(I)
 2002
22 氮化鎵晶圓接合及配合雷射移除藍寶石基板
 2001
23 砷化鎵晶片高溫接合中介面空孔之研究 2000

Proceedings Paper

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 High brightness III-V light-emitting diodes on diamond/silicon composite substrate
 2013-01-01
2 Improved Performance of MIC Poly-Si TFTs Using Driven-in Nickel Induced Crystallization (DIC) with Cap SiO2 by F implantation
 2010-01-01
3 Reducing Ni residues of Metal Induced Crystallization Poly-Si with a Simple Chemical Oxide Layer
 2010-01-01
4 Using Fluorine-ion Implanted a-Si Layer to Reduce Ni Contamination and Passivate the Defects in NILC poly-Si
 2010-01-01
5 Improved Electrical Performance of NILC Poly-Si TFTs Manufactured Using H2SO4 and HCl Solution
 2010-01-01
6 Improved Performance of NILC Poly-Si Nanowire TFTs by Using Ni-Gettering
 2010-01-01
7 High Performance and Reliability of Poly-Si Thin-Film Transistors Using Nickel Drive-In Induced Laterally Crystallization
 2010-01-01
8 Improved Gettering Efficiency of Ni from Nickel-Mediated Crystallization Silicon Using Phosphorus-Doped Amorphous Silicon
 2009-06-01
9 Improve the electrical properties of NILC poly-Si films using a gettering substrate 2007-01-01

Thesis

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 圖案化藍寶石基板表面形貌對氮化鎵系發光二極體的影響 2014
2 利用銅/鑽石/矽複合材料當作高亮度發光二極體的散熱管理 2014
3 藉由熱循環和應力集中從藍寶石基板剝離氮化鎵技術 2014
4 高功率發光二極體之高熱導鑽石複合固晶材料 2014
5 TFT-LCD中驅動IC壓合製程之改善 2013
6 雷射剝離對發光二極體中圖形化藍寶石基板的影響 2013
7 Laser Doping Emitter in c-Si Solar Cell 2013
8 藉由晶圓接合從藍寶石基板剝離氮化鎵技術 2013
9 銅化學機械研磨中動態腐蝕對陷碟之影響 2013
10 濕蝕刻藍寶石圖形化基板形貌演化對氮化鎵磊晶的影響 2013
11 利用陽極氧化鋁製作奈米尺寸圖形化藍寶石基板用以成長氮化鎵發光二極體 2013
12 溝槽式閘極金氧半場效電晶體閘極氧化層製程之改善 2013
13 微影製程疊對量測改善 2013
14 利用鑽石複合材料當作高亮度發光二極體的散熱管理 2012
15 藉著在不同軸向藍寶石基板上使用不同圖案化來提升氮化鎵之發光二極體的結晶品質與性能 2012
16 利用奈米圖案化藍寶石基板改善氮化鎵品質以及成長半極性氮化鎵於a面圖案化藍寶石基板 2012
17 高壓元件閘極氧化層膜厚均勻度之改善 2012
18 線狀型二氧化矽汙染物在大氣壓化學氣相沉積機台下的形成機制與改善 2012
19 琴鋼線與高速切割線的鑽石間結合力之改善 2012
20 鍺與矽晶圓接合介面形態與電性研究 2012
21 薄膜電晶體中氮化矽閘極絕緣層與氧化銦錫間的交互作用 2012
22 P型鍺與N型矽晶圓接合介面型態與電性研究 2012
23 使用簡單的化學氧化物及鎳驅入式結晶法改善金屬誘發結晶低溫多晶矽薄膜電晶體之效能及可靠度 2011
24 0.5微米高壓元件靜電防護能力改善 2011
25 利用特性要因分析法改善場擴散金氧半場效電晶體製程
 2011
26 藉著電漿處理濕式蝕刻圖案化藍寶石基板提升氮化鎵發光二極體之效能
 2011
27 高壓N型元件中閘極引發汲極漏電流原因及改善方式研究 2011
28 退火溫度和表面處理對IGZO元件的影響
 2010
29 砷化鎵晶圓接合的界面型態與電性探討 2010
30 探討碳離子佈植與退火溫度對源汲極接面深度之影響 2010
31 製造點狀圖形化a-plane藍寶石基板用以成長氮化鎵發光二極體 2010
32 製備微透鏡型圖案化矽氧化層藍寶石基板用以成長氮化鎵發光二極體 2010
33 以a-plane與r-plane線狀圖形化藍寶石基板成長GaN 發光二極體之研究 2010
34 以Drive-in 製程的修正來改善 0.4μm P型金屬/氧化層/半導體(PMOS)臨界電壓電性的異常 2010
35 半導體淺溝槽內之矽筍狀缺陷去除 2010
36 高效能雙通道鎳金屬誘發低溫複晶矽薄膜電晶體之製備方式及特性分析 2010
37 藍寶石基板上圖案的形貌與其對氮化鎵磊晶成長的影響 2010
38 鎳誘發側向結晶複晶矽薄膜電晶體－垂直通道結構應用於低溫複晶矽薄膜電晶體
 2010
39 光起始劑應用於透明光阻之反應機制及應用於彩光光阻之最佳配方 2010
40 週期性線狀圖案a-plane藍寶石基板成長半極性氮化鎵薄膜之研究 2010
41 以液相沉積法製作奈米圖形化藍寶石基板成長氮化鎵磊晶層之研究 2010
42 藉改良鏡面結構與表面粗糙化處理提升發光二極體之亮度
 2009
43 高亮度發光二極體效能之提昇 -針對雷射剝離損傷機制與圖形化藍寶石基板之研究 2009
44 N型砷化鎵/N型矽晶圓接合介面形態與電性研究
 2009
45 砷化鎵/砷化鎵以及砷化鎵/鍺晶圓接合介面形態與電性研究
 2009
46 於圖案化藍寶石基板上磊晶成長氮化鎵發光二極體 2009
47 鎳誘發/鎳誘發側向結晶矽太陽能電池-成長機制、鎳捉聚與太陽電池效能
 2009
48 氫含量在奈米金屬點非揮發性記憶體之影響 2009
49 藉鎳捉聚改善鎳金屬誘發側向結晶之低溫複晶矽薄膜及奈米通道電晶體效能研究
 2009
50 表面微結構對氮化鎵發光二極體光電特性之影響
 2009
51 以規則性粗化點改善發光二極體光取出效率之研究
 2008
52 砷化鎵/矽晶圓接合介面形態與電性研究
 2008
53 藍寶石基板上的圖案尺寸與形狀對氮化鎵磊晶成長的影響
 2008
54 結合鎳金屬吸附的製程技術搭配具有加厚之汲/源極與薄通道低溫複晶矽薄膜電晶體之研究
 2008
55 低濃度氫氧化氨、雙氧水混合物在深溝渠式記憶體清洗製程之研究
 2008
56 PECVD護層薄膜應力/形變對MOS起始電壓偏移之影響 2008
57 鎳金屬誘發側向結晶複晶矽薄膜電晶體－界面狀態與低溫複晶矽薄膜電晶體特性之研究
 2008
58 利用鎳捉聚技術製備高效能奈米線通道金屬誘發低溫複晶矽薄膜電晶體及其特性分析
 2008
59 鎳金屬誘發側向結晶複晶矽薄膜電晶體中電特性、可靠度與均勻性課題之研究
 2008
60 鎳金屬誘發側向結晶－低溫複晶矽薄膜電晶體之漏電流與可靠度研究
 2008
61 AlGaInP發光二極體特性之提升
 2007
62 以快速熱退火法加強金屬側向誘發結晶速率之研究
 2007
63 鎳金屬誘發非晶矽薄膜側向結晶－成長機制、金屬捉聚與低溫複晶矽薄膜電晶體效能之研究
 2007
64 溝槽式閘極功率金氧半場效電晶體Qgd特性改善研究
 2007
65 低壓化學氣相沈積之BTBAS氮化矽薄膜在65奈米電晶體側壁空間層之應用(利用田口式實驗設計方法進行製程參數最佳化) 2007
66 利用晶圓接合增加氮化鎵族發光二極體亮度—金錫薄膜與金錫合金為接合介質的比較
 2007
67 選擇性磊晶成長在升高式源/汲極應用之研究 2006
68 AlGaInP與GaN發光二極體之特性提升
 2006
69 鎳金屬誘發非晶矽薄膜側向結晶-成長機制與低溫複晶矽薄膜電晶體效能之研究
 2005
70 缺陷對氮化物藍光二極體光電特性之影響
 2005
71 氮化矽對金屬誘發側向結晶的影響
 2005
72 利用晶圓接合技術降低金屬誘發側向結晶之複晶矽薄膜中殘餘金屬~鎳過濾與鎳捕捉~
 2005
73 High-Power GaN-based Light-Emitting Diodes Fabricated by Wafer Bonding and Electroplating Technology
 2005
74 金屬誘發側向結晶應用於低溫多晶矽薄膜電晶體-結晶成長之熱力學、動力學及電晶體元件效能
 2005
75 發光二極體功率與亮度的提升
 2005
76 三五族化合物半導體晶圓接合之基本研究及應用
 2004
77 P型砷化鎵晶圓接合電性與界面形態之研究
 2004
78 利用快速熱退火技術增進金屬誘發側向結晶的速率
 2004
79 不同旋轉角度之砷化鎵晶圓接合
 2003
80 利用不同結構之鋁陽極處理膜基板在矽基板上合成奈米碳管 2003
81 電場對蛋白質(Hen Egg White Lysozyme)晶體成長機制以及形貌的影響
 2003
82 利用轉移技術在塑膠基板上製作高特性薄膜電晶體
 2003
83 氧對鎳誘導非晶矽結晶的影響
 2003
84 金屬觸媒在液晶顯示器及場發射顯示器之應用­用金屬觸媒促進低溫複晶矽及奈米碳管之成長 2002
85 以晶圓接合與金屬誘發使非晶矽薄膜結晶 2001
86 氮化鎵V型缺陷成長機制與新氮化鎵磊晶層轉移技術 2001
87 高亮度發光二極體晶圓接合製程之研究 2001
88 藉由晶圓接合和雷射剝離技術的搭配將氮化鎵薄膜整合在銅或矽基板上 2001
89 利用無電鍍鈀誘發非晶矽薄膜結晶製作複晶矽薄膜電晶體之研究 2001
90 低介電常數材料氟化非晶系碳膜蝕刻特性研究 2000
91 無電鍍鈀誘發非晶矽薄膜結晶的研究 2000
工學院