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渡邊浩志

渡邊浩志 Watanabe, Hiroshi

電子郵件／E-mail：hwhpnabe@mail.nctu.edu.tw

服務單位／Department：電機學院 ／ 電信工程研究所

著作期間／Publish Period：2010-01-01 - 2014-10-01

著作統計／Statistics

Article（7）
Patents（2）
Proceedings Paper（2）
Thesis（6）

Article

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 Psychometric Properties of the Revised Chen Internet Addiction Scale (CIAS-R) in Chinese Adolescents
 2014-10-01
2 Numerical Study of Very Small Floating Islands
 2014-04-01
3 Integrated Batteryless Electron Timer
 2011-03-01
4 A Tight Binding Method Study of Optimized Si-SiO(2) System 2010-11-01
5 Transient Device Simulation of Floating Gate Nonvolatile Memory Cell With a Local Trap
 2010-08-01
6 Universal Tunnel Mass and Charge Trapping in [(SiO(2))(1-x)(Si(3)N(4))(x)](1-y)Si(y) Film 2010-05-01
7 Statistical Simulation of Metal-Gate Work-function Fluctuation in High-kappa/Metal-Gate Devices 2010-01-01

Patents

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 半導體裝置及其操作方法與應用電路
 2014-07-11
2 半導體裝置及其操作方法與應用電路
 2013-01-01

Proceedings Paper

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 Analysis of the Scaling Effect on NAND Flash Memory Cell Operation
 2013-01-01
2 Quantitative Discussion on Electron-hole Universal Tunnel Mass in Ultrathin Dielectric of Oxide and Oxide-Nitride
 2011-01-01

Thesis

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 適用於奈米結構之Adaptive Kicking演算法之研究 2014
2 三維多體陷阱模擬 2014
3 氧化層電場對NAND快閃記憶體保存度影響之研究 2014
4 奈米尺度物理模擬器之發展 2013
5 矽奈米元件模擬器之發展
 2012
6 P型SONOS快閃記憶體元件電荷動態分佈之研究 2012
電機學院