Browsing by Author "CHANG CHEN-SHIUNG"
Now showing 1 - 20 of 21
- Results Per Page
- Sort Options
Item type:Item, 三元鹵化物紅外線非線性光學晶體生長及Er摻雜之半導體生長特性研究(2002) ;張振雄 ;CHANG CHEN-SHIUNG交通大學光電工程研究所Item type:Item, 凝態非線性光學材料之結構與其光學特性之相關研究---子計畫II:紅外線非線性光學材料AgGaS/sub 2/及AgGa(S/sub 1-x/Se/sub x/)/sub 2/之單晶生長(II)(1997) ;張振雄 ;CHANG CHEN-SHIUNG交通大學光電工程研究所Item type:Item, 利用低頻示波器來量測高頻信號及短電脈衝之研究(1993) ;張振雄 ;CHANG CHEN-SHIUNG交通大學光電工程研究所本計畫欲利用改良的非線性交互相關量測法, 將光導開關產生之短的電脈衝,作時域及頻域響 應的量測,且用差頻信號重複此短脈衝於低頻示 波器上,並且更藉在光導開關中之諧波混頻方法, 將一未知高頻信號由一低頻示波器顯示出來.Item type:Item, 利用硒化鎵晶體之差頻效應產生兆赫光波及在氧化鋅內聲子頻譜之研究(2003) ;張振雄 ;CHANG CHEN-SHIUNG國立交通大學光電工程研究所Item type:Item, 利用第一原理計算A位陽離子取代非線性材料AGeX 3 之光學性質(2007) ;張振雄 ;CHANG CHEN-SHIUNG國立交通大學光電工程學系(所)利用第一原理計算在A位陽離子取代非線性光學晶體AGeX3(X=Cl,Br)時光學之特性,我們嘗試使用K,Cs,Rb陽離子與GeX3陰離子團結合,並藉觀察陽離子取代改變晶體結構,電子能帶結構,二倍頻係數,晶胞基態總能等參數,期望能找出最合適使用之非線性光學晶體. 利用化學合成法生長三元鹵化物AGeX3(X=Cl,Br),甚至是四元鹵化物CsRbGeX3,並藉FTIR,Raman光譜,X光繞射光譜及二倍頻粉末量測實驗,期望能配合理論計算之結果,能找到設計晶體之最佳組合。Item type:Item, 半導體奈米材料光學性質與聲子頻譜之研究(2004) ;張振雄 ;CHANG CHEN-SHIUNG交通大學光電工程研究所本計畫將根據歷年計畫中進行的實驗以及第一原理的計算與分析能 力,針對特定成份(矽、鍺元素以及氧化鋅二元化合物)之奈米微粒與奈米 線進行理論計算與光學特性量測。我們利用不同的方法成長矽、鍺奈米微 粒在多孔矽內、氧化鋅(II-VI 族)半導體奈米線,進行初步結構鑑定與分析 檢測。並利用第一原理結合緊束縛分子動力學(Tight-Binding Approximation) 分析奈米微粒與奈米線結構,以及研究奈米材料分子振動頻譜模式。 在光學性質、奈米結構及電子能態性質量測方面,本計畫包含了變溫 拉曼光譜、光致螢光、穿隧式電子顯微鏡以及兆赫光波等量測。奈米材料 之大小相應的尺寸效應、維度效應、發光機制以及聲子頻譜,是我們希望 觀察並研究的現象。Item type:Item, 單層與多層碳分子膜製作、量子傳導與納米光電特性之研究(2009) ;張振雄 ;CHANG CHEN-SHIUNG國立交通大學光電工程學系(所)Item type:Item, 單層與多層碳分子膜製作、量子傳導與納米光電特性之研究(2010) ;張振雄 ;CHANG CHEN-SHIUNG國立交通大學光電工程學系(所)Item type:Item, 單層與多層碳分子膜製作、量子傳導與納米光電特性之研究(2011) ;張振雄 ;CHANG CHEN-SHIUNG國立交通大學光電工程學系(所)Item type:Item, 在低溫MOCVD 磊晶砷化鎵薄膜中之電性及光電性質的研究(1995) ;張振雄 ;CHANG CHEN-SHIUNG國立交通大學光電工程研究所Item type:Item, 矽鍺奈米晶體之生長與材料特性之研究(2005) ;張振雄 ;CHANG CHEN-SHIUNG交通大學光電工程研究所我們利用不同的方法成長矽、鍺奈米微粒在多孔矽內、在多孔矽內將 Er3+離子電鍍入內,進行初步結構鑑定與分析檢測。在光學性質、奈米結構 及電子能態性質量測方面,本計畫包含了變溫拉曼光譜、光致螢光、穿隧 式電子顯微鏡以及兆赫光波等量測。奈米材料之大小相應的尺寸效應、維 度效應、發光機制以及聲子頻譜,是我們希望觀察並研究的現象。Item type:Item, 研究傳輸線上信號在砷化鎵晶片上的理論計算與時域測量(1994) ;張振雄 ;CHANG CHEN-SHIUNG國立交通大學光電工程研究所我們自從已推導出的傳輸線理論,可瞭解到 幾種常用之傳輸線的特性,諸如在傳輸線上介 質之有效介電常數和其電性阻抗.由此可推算 出信號在不同結構的傳輸線中,對頻率的損耗 及色散大小.更進一步也在實驗上藉著電光取 樣的技術,我們在時域上可量測到信號的相位, 損耗及傳輸速度在不同時間上的變化,並與理 論公式所預測之結果加以比較.Item type:Item, 砷離子佈植砷化鎵的特性研究(1996) ;張振雄 ;CHANG CHEN-SHIUNG國立交通大學光電工程研究所Item type:Item, 第一原理計算三元鹵化物結構穩定性與二階光學非線性係數頻率特性(2008) ;張振雄 ;CHANG CHEN-SHIUNG國立交通大學光電工程學系(所)鈣鈦礦結構(Perovskite)之三元鹵化物( 3 CsGeX , X=Cl, Br, I)是新興的紅外線非線 性光學材料,它同時有鈣鈦礦晶體結構變異的有趣議題,也有優良的紅外線非線性光 學特性。跟以往採用贗勢法不同,本計劃以第一原理全勢計算方法進行系統化的分析 與探討。這包括了三種主要的晶體結構以及兩種次要晶相的聲子態計算;頻率相關二 階非線性光學係數( c (2) )的計算將與聲子態計算結果比較分析。同時也將與文獻以及 本實驗室過去粉末二倍頻量測(SHG)、光致發光量測(PL)、紅外線穿透光譜(FTIR)及拉 曼光譜量測結果與實驗數據作一比較。本計劃研究成果可提供晶體工程、晶體應用、晶 體物理特性等進一步的研究參考依據。Item type:Item, 紅外線非線性光學材料AgGa(S/sub x/Se/sub 1-x/)/sub 2/及GaSe單晶生長(2000) ;張振雄 ;CHANG CHEN-SHIUNG交通大學光電工程研究所Item type:Item, 紅外線非線性光學材料AgGa(S/sub x/Se/sub 1-x/)及GaSe之單晶生長並晶體電子結構之理論計算(2000) ;張振雄 ;CHANG CHEN-SHIUNG國立交通大學光電工程研究所Item type:Item, 紅外線非線性光學材料AgGa(SxSe/sub 1-X/)/sub 2/及AgGaSe/sub 2/單晶生長(1999) ;張振雄 ;CHANG CHEN-SHIUNG交通大學光電工程研究所Item type:Item, 紅外線非線性晶體CsGe[Br1-xClx]3之生長及其光學特性(2006) ;張振雄 ;CHANG CHEN-SHIUNG交通大學光電工程研究所近年來無論是有機或無機的非線性光學材料,均發展迅速。然而多數 此類材料均適用於紫外光或可見光的頻率範圍內,相對而言,有關紅外光 譜適用的非線性光學材料的研究,就顯得相當的不足。過去我們實驗室已 有開發出生長AgGaS2系列及CsGeX3 (X=I, Br, Cl) 系列的經驗。今年我們 提出合成並生長CsGe[Br1-xClx]3之大塊晶體。除了單晶生長以外,我們也 嘗試在理論上利用CASTEP軟體,計算出CsGe[Br1-xClx]3晶體之電子能帶、 聲子振動模式及非線性係數χ(2), 並將計算出之結果與實驗數據作一比 較。在四元化合物生長上,建議材料可能以x = 1/6, 2/6, 3/6, 4/6, 5/6含量生 長比較適合(因為單位晶胞中含6個Cl原子)。Item type:Item, 紅外線非線性材料CsGeCl/sub 3/晶粒合成並晶體成長(2001) ;張振雄 ;CHANG CHEN-SHIUNG國立交通大學光電工程研究所Item type:Item, 超快光學及光電子學---子計畫三:應用光導開關作為微波源的研究(II)(1995) ;張振雄 ;CHANG CHEN-SHIUNG國立交通大學光電工程研究所