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Browsing by Author "LEE MING-CHIH"

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    III族氮化物微結構與奈米晶粒之光電特性量測與磊晶成長之研究(I)
    (2005)
    李明知
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    LEE MING-CHIH
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    交通大學電子物理系
    目前深紫外波長氮化鎵/氮化鋁鎵(GaN/AlGaN)是可行的白光半導體元 件材料， 但是，對於這種新興的氮化物材料，仍有許多未知的領域。本計畫之主旨 是在本實驗室既有的基礎上， 結合磊晶、光學、電性與奈米技術， 利用 MOCVD 磊晶系統、微螢光光譜(Micro-photoluminescence, Micro-PL)、微拉曼光 譜(Mirco-Raman)、原子力顯微鏡(AFM)相關之表面電性分析及近場掃瞄螢 光光譜(Near-field Scanning Optical Microscopy)，對氮化鎵/鋁材料的物理現 象， 例如雜質摻雜V 型缺陷(V-shaped pits)、六角丘(Hillocks)及奈米晶粒 (Nanocrystals)進行微光譜研究、光泵誘發輻射機制與成長機制之探討。 本計畫之特色為探討氮化鎵/氮化鋁鎵材料表面微結構之物理基礎研究，並兼顧氮化 鎵/鋁深紫外波長材料未來的應用與發展，其主要的內容包括 1. 氮化鎵鎂摻雜(GaN:Mg)塊材表面V 型缺陷之光電特性分析 2. 氮化鋁鎵六角丘結構(AlGaN Hillock)之光學特性分析 3. 奈米晶粒結構微螢光光譜量測分析 4. 單一奈米晶粒結構之近場光學檢測與近場拉曼光譜系統開發 5. 奈米晶粒光電特性的結合 在本計畫中，本實驗室將延續先前所提出之國科會計畫相關之研究成果，包括奈米 奈米晶粒結構之室溫微光激發螢光光譜、氮化鋁鎵/氮化鎵塊材結構之表面V 型缺陷態 之微區光譜分析、近場光學光譜對V 型缺陷態躍遷機制與分佈之研究、六角丘結構螢光 特性等，並利用近場光學系統及微拉曼系統來研究摻雜態V 型缺陷/六角丘之光激發復 合機制、奈米晶粒結構載子分佈與遷移(carrier distribution & migration)特性及六角錐結 構成長機制與光特性研究等。 此外，我們亦將計畫建立一套近場光學拉曼光譜量測系統，期針對奈米等級單一區 域做同步解析螢光光譜與拉曼光譜之分析，結合原子力顯微鏡之單區分析，俾使其光電 特分析能夠更準確與吻合。
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    III族氮化物微結構與奈米晶粒之光電特性量測與磊晶成長之研究(II)
    (2006)
    李明知
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    LEE MING-CHIH
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    交通大學電子物理系
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    III族氮化物微結構與奈米晶粒之光電特性量測與磊晶成長之研究(III)
    (2007)
    李明知
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    LEE MING-CHIH
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    國立交通大學電子物理學系(所)
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    寬能隙半導體材料之拉曼散射與光學性質研究
    (1995)
    李明知
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    LEE MING-CHIH
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    國立交通大學電子物理學系
    本計畫擬對於寬能隙光電半導體材料(如硫 化鋅、氮化鎵、碳化矽、硒化鋅或硫化鎘等) 之光學性質進行穿透、反射和光激發測量,並 分析其能隙隨溫度、組成比例和摻雜濃度變化 的關係.另外將使用拉曼散射方法檢查其聲子 頻譜與內部結構性質是否存有晶格不匹配之應 力效應及因化合物組成改變引致能隙移動所造 成之共振效應,與雜質濃度所形成能隙間能級 是否產生活化躍遷,再者由不同厚度樣品的拉 曼訊號可檢驗有限尺寸效應,並作為改進製備 程序的參考.
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    氮化物材料及元件結構之光電特性研究
    (2000)
    李明知
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    LEE MING-CHIH
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    交通大學電子物理系
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    氮化物材料及元件結構之光電特性與布里淵散射研究
    (2000)
    李明知
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    LEE MING-CHIH
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    國立交通大學電子物理學系
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    氮化物材料及液晶配向結構之光電特性顯微偵測研究
    (2002)
    李明知
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    LEE MING-CHIH
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    交通大學電子物理系
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    氮化物材料及結構之光電特性顯微偵測之研究
    (2001)
    李明知
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    LEE MING-CHIH
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    國立交通大學電子物理學系
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    氮化銦及高銦組成氮化銦鎵奈米粒之微米及奈米尺度光學特性分析
    (2008)
    李明知
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    LEE MING-CHIH
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    國立交通大學電子物理學系(所)
    近年來三五族化合物半導體已成為發展光電產業中，最重要的材料。其中透過氮化銦與氮化 鎵所合成的氮化銦鎵，其發光波段控制在紫外到藍綠光的範圍中，更是目前應用在雷射發光二極 體與雷射二極體上最主要的材料之ㄧ。為了將發光波段延伸到紅光及紅外光，研發高銦含量的 氮 化 銦 鎵 及 氮 化 銦 成 為 熱 門 的 課 題 。 本 研 究 團 隊 最 近 特 別 研 發 流 量 調 製 磊 晶 法 (Flow Rate Modulation Epitaxy, FME)，成功利用 MOCVD 成長出氮化銦奈米粒，其發光位置在 0.75 eV 附近，半高寬甚至可下降至 50 meV，利用氮化銦的長晶參數，進而成長出一系列高銦組 成的氮化銦鎵奈米粒 (銦組成高於 60 %)。 透過初步觀測，發現不論是氮化銦或是高銦組成氮化銦鎵奈米粒，其表面除了會呈現不同形 貌的奈米粒外，也可發現微結構的特徵。本計劃將利用螢光光譜、拉曼光譜與近場光譜探討氮化 銦及高銦組成氮化銦鎵奈米粒的光學特性，包含時析載子傳輸機制、奈米粒應力變化情況與形貌 跟光譜的對應關係。 因此，針對上述計畫背景及目的所提，本計畫將細分為下列幾個主要的研究目標與方向，玆 條列如下： (1) 微米級(Micro)空間解析之氮化銦/高銦組成氮化銦鎵奈米結構之螢光光譜性： 搭配雷射定位技術，透過變溫光譜量測、時間解析光譜，分析微米區域內不同奈米結構 的載子傳輸機制、載子生命期....等特性。 (2) 微米級(Micro)空間解析之氮化銦/高銦組成氮化銦鎵奈米結構之拉曼光譜特性： 搭配雷射定位技術，分析微米區域內不同奈米結構中，應力變化情形…等特性。 (3) 奈米級(Nano)空間解析之氮化銦/高銦組成氮化銦鎵奈米結構之近場光譜特性： 偵測奈米結構內的光譜與形貌之對應關係。
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    氮化鋁鎵六角錐與自聚性量子點之顯微光學量測
    (2004)
    李明知
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    LEE MING-CHIH
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    交通大學電子物理系
    本研究計畫之目的在於延續去年之國科會計畫提案之相關研究成果。前述 之計畫中提及利用有機金屬氣相磊晶(MOCVD)成長量子點結構，並以微量測系統 來研究其相關之光電特性。於成長之過程中，我們發現可於氮化鋁鎵材料上成 長出一系列不同大小之六角錐(Hillock)結構，且並針對六角錐結構之光學特性 及幾何形貌做深入之探討，結果發現不同之六角錐結構形貌將呈現出不同的光 學特性。因此，本年度之計畫目的在於根據先前之研究成果，利用原子力顯微 鏡(AFM)、微螢光光譜(micro-PL)、近場光學顯微術(NSOM)及微拉曼光譜 (micro-Raman)重新對各種不同形態與大小之六角錐結構，探討其結構形態所相 對應之空間應力(Strain)分佈、光譜分佈及位移量，並利用NSOM 所提供之高解 析度解析其細微區域之光譜特性。 此外，綜觀國內外之研究成果中，針對單一量子點結構量測其特性光譜與 結構尺寸、應力等關係之報告並不多，然而此關係對於以量子點為主之元件光 電特性極為重要，極待探討與瞭解。因此針對氮化鋁鎵六角錐結構，我們利用 MOCVD 系統於其上成長了量子點結構，或利用MBE 系統成長II-VI 族自聚性量子 點結構，並利用我們實驗群已具備之微觀量測工具，做進一步的特性量測與分 析。 計畫的分項主題可分為四項： 1. 以micro-PL 系統量測與分析三種不同形貌之Hillock 結構之光譜特性 並配合micro-Raman 系統之應力分析，得到其譜峰及尺寸、形貌及應力 分佈關係。 2. 以近場光學系統量測結構邊緣及中心點部分之細微光譜，並綜合上述之 結果，以建立六角錐結構之空間相關之能態分佈模型。 3. 利用Micro-PL、NSOM 及Micro-Raman 量測上述方法成長之量子點結構， 以瞭解其量子點躍遷機制及結構應力與尺寸之間的關係。 4. 嚐試開發非光學孔徑式之近場光學系統。
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    氮化鎵/鋁表面微結構之微螢光及近場光譜特性研究
    (2003)
    李明知
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    LEE MING-CHIH
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    國立交通大學電子物理學系
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    碳60/70大分子薄膜之拉曼散射研究
    (1993)
    李明知
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    LEE MING-CHIH
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    交通大學電子物理研究所
    我們擬於本計畫中研究碳60/70球形分子簇的 拉曼光譜,並藉改變此薄膜樣品溫度,和雷射光 照射時間長短,觀察其振動模之變化,是否隨空 氣和氧氣的作用而消長,相當於加熱效果以致 減少外界元素與碳球的鍵結,另外也將嘗試摻 入不同的鹼金屬原子形成超導體,以檢查超導 與拉曼光譜的相關性.
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    變溫拉曼散射研究碳簇60和三五族寬能隙化合物之摻雜效應
    (1996)
    李明知
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    LEE MING-CHIH
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    國立交通大學電子物理學系