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公開日期標題作者
1996一種量測快閃式記憶體元件中微量漏電流的新式方法王智弘; Wang, Chih-Hung; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
2016三維NAND快閃記憶體隨機電報雜訊之特性探討周佑亮; 汪大暉; Chou, You-Liang; Wang, Tahui; 電子工程學系 電子研究所
1994三維微電子真空元件模擬李殷; Yiin Lee; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
1994三維微電子真空元件模擬器汪大暉; WANG TAHUI; 交通大學電子工程研究所
1992三維真空微電子場放射元件模擬器蔡文哲; Wen-Jer Tsai; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
2015不同介電質的平面式及閘極環繞式氮化矽快閃記憶體之寫入/抹除/保存模擬蔡德宏; Tsai, Te-Hung; 汪大暉; Wang, Tahui; 電子工程學系 電子研究所
2007二氧化鉿奈米晶體快閃式記憶元件可靠度分析李智雄　; Chih-Hsiiung Li; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
1992二維量子井半導體雷射模擬葉文中; Wen-Jong Yeh; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
1984二維量子井半導體雷射模擬葉文中; 汪大暉; 電子研究所
2007以NafionTM/PR包埋結構作為REFET參考場效電晶體感測層之研究陳明聰; Ming-Cong Chen; 汪大暉; Tahui Wang; 電機學院微電子奈米科技產業專班
2016以氧化鎢電阻式記憶體探討影響寫入干擾錯誤時間變因之研究鍾季翰; 汪大暉; Chung, Chi-Han; Wang, TaHui; 電子研究所
1989以砷化鎵為基底的量子井元件中熱電子傳導特性之研究謝正祥; XIE,ZHENG-XIANG; 汪大暉; WANG,DA-HUI; 電子研究所
2006先進 VLSI元件中遠程庫倫散射引起電子遷移率衰減之研究吳致融; Chih-Jung Wu; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
2012先進互補式金氧半電晶體及快閃式記憶元件中單一電荷效應之統計性研究邱榮標; Chiu, Jung-Piao; 汪大暉; Wang, Ta-Hui; 電子研究所
2009先進互補式金氧半電晶體及氮化矽快閃式記憶元件之可靠度分析和蒙地卡羅模擬唐俊榮; Tang, Chun-Jung; 汪大暉; Wang, Tahui; 電子研究所
2005先進閘極介電層互補式金氧半電晶體中電壓溫度引致不穩定性之研究詹前泰; Chien-Tai Chan; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
1989分子束磊晶成長之砷化鎵金半場效電晶體低溫緩衝層及頻率相關電流超射效應之研究蔡富義; CAI,FU-YI; 李建平; 汪大暉; LI,JIAN-PING; WANG,DA-HUI; 電子研究所
2007利用RTS 方法研究SONOS 快閃記憶體寫入/抹除電荷之橫向分佈特性趙元鵬; Yuan-Peng Chao; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
2004利用單電荷現象研究高介電係數CMOS之加溫加壓回復效應與缺陷特性郭晉豪; Kuo,Jin-Hau; 汪大暉; 電子研究所
2005利用單電荷釋放現象研究P型氧化層場效電晶體之加溫加壓回復效應與機制李冠成; 汪大暉; 電子研究所
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