1. 目前位置：

瀏覽 的方式： 作者 林秀玟

跳到： 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
或是輸入前幾個字：  
顯示 1 到 1 筆資料，總共 1 筆
公開日期標題作者
2006以1.95奈米閘極厚度之65奈米互補式金屬氧化半導體元件實現之具可靠度及容許高壓輸入之雙電源輸出輸入介面電路設計林秀玟; Hsiu-Wen Lin; 黃威; Wei Hwang; 電機學院電子與光電學程
顯示 1 到 1 筆資料，總共 1 筆