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公開日期標題作者
2006以1.95奈米閘極厚度之65奈米互補式金屬氧化半導體元件實現之具可靠度及容許高壓輸入之雙電源輸出輸入介面電路設計林秀玟; Hsiu-Wen Lin; 黃威; Wei Hwang; 電機學院電子與光電學程
2004以效能為導向之輸入輸出緩衝器區塊與核心單元擺置的覆晶式設計張加易; Chia-Yi Chang; 陳宏明; Hung-Ming Chen; 電子研究所
2006在晶片與封裝共同設計時對於核心區塊與輸入輸出緩衝器擺置的方法賴明芳; Ming-Fang Lai; 陳宏明; Hung-Ming Chen; 電子研究所
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