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| 公開日期 | 標題 | 作者 |
|---|---|---|
| 1999 | 氮化矽閘極薄氧化層之研究 | 廖益成; Y. C. Liao; 荊鳳德; 蔡中; Albert Chin; C. Tsai; 電子研究所 |
| 2006 | 超薄含氮氧化層創新製程技術應用在n型金氧半場效電晶體之特性研究 | 葉建宏; Chien-Hung Yeh; 葉清發; 羅正忠; Chin-Fa Yeh; Jen-Chung Lou; 電子研究所 |
| 2007 | 超薄含氮氧化層創新製程技術應用在p型金氧半場效電晶體之特性研究 | 葉佳樺; Chia-Hua Yeh; 羅正忠; Jen-Chung Lou; 電子研究所 |
| 2003 | 超薄氮化矽閘極介電層之可靠度研究 | 歐士傑; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin; 電子研究所 |
| 2007 | 高含氮量氧化層於氮化矽快閃記憶體元件製作與特性研究 | 黃信富; 羅正忠; 電機學院微電子奈米科技產業專班 |